类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20 V
　　栅源电压（Vgs）：±8 V
　　连续漏极电流（Id）：1.9 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：6.8 A
　　导通电阻 Rds(on)：35 mΩ @ Vgs = 4.5 V
　　导通电阻 Rds(on)：45 mΩ @ Vgs = 2.5 V
　　阈值电压 Vgs(th)：0.7 V ~ 1.5 V
　　输入电容 Ciss：320 pF @ Vds = 10 V
　　功率耗散 Pd：850 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

FBG024 具备出色的导通性能和快速开关响应能力，是现代低功耗电子系统中的理想选择。其低导通电阻（Rds(on)）在 4.5V 和 2.5V 栅极驱动条件下分别仅为 35mΩ 和 45mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了整体系统的能效。这对于电池供电设备尤其重要，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，有助于延长电池续航时间。
　　该器件采用先进的沟槽技术制造，实现了更小的芯片尺寸与更高的电流密度。这种结构不仅提升了器件的热稳定性，还增强了其在高频开关环境下的可靠性。此外，较低的输入电容（Ciss 约为 320pF）减少了栅极驱动所需的能量，进一步优化了动态功耗表现。
　　FBG024 的阈值电压范围为 0.7V 到 1.5V，使其能够兼容多种逻辑电平信号，包括 1.8V、2.5V 和 3.3V 数字控制器输出，无需额外的电平转换电路即可直接驱动。这一特性简化了电路设计并降低了物料成本。同时，±8V 的最大栅源电压保证了器件在瞬态过压情况下的安全性，提升了鲁棒性。
　　得益于 SOT-23 小型化封装，FBG024 非常适合用于对空间要求极为严格的便携式产品。尽管封装小巧，但其仍具备良好的散热性能，在合理布局和 PCB 设计下可实现高达 850mW 的功率耗散能力。工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C，确保了其在各种恶劣环境条件下的稳定运行，适用于工业级应用场景。

FBG024 主要用于低压直流开关电路中，典型应用包括电源管理单元中的负载开关、电池保护电路、DC-DC 转换器的同步整流、电机驱动控制、LED 驱动以及各类模拟开关电路。其高效率和小型封装也使其成为笔记本电脑、移动电源、USB 充电器、无线耳机充电盒等消费类电子产品中不可或缺的核心元件。此外，它还可用于信号路由、热插拔控制和传感器接口电路中，提供可靠的通断控制功能。

FDS6670A
　　DMG2302UK