FB31N20D 时间：2025/7/9 9:18:31 阅读：30

FB31N20D是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它能够在高频条件下高效工作，并且具备良好的耐受性和可靠性。

参数

型号：FB31N20D
　　类型：N沟道MOSFET
　　Vds（漏源极电压）：200V
　　Rds(on)（导通电阻）：0.31Ω
　　Id（连续漏极电流）：11A
　　Vgs（栅源极电压）：±20V
　　fsw（最大开关频率）：500kHz
　　封装形式：TO-220
　　结温范围：-55℃至+150℃

特性

FB31N20D具有以下主要特性：
　　1. 高击穿电压：其Vds为200V，适用于高压应用场景。
　　2. 低导通电阻：Rds(on)仅为0.31Ω，在导通状态下损耗较低，从而提高了效率。
　　3. 快速开关能力：能够以高达500kHz的频率进行开关操作，非常适合高频应用。
　　4. 良好的热稳定性：即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
　　5. 小型化封装：采用标准TO-220封装，便于安装和散热设计。
　　6. 宽温度范围支持：从-55℃到+150℃的工作结温使其适用于各种环境条件。
　　这些特性使FB31N20D成为许多功率电子应用的理想选择。

应用

FB31N20D主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：
　　 - AC-DC转换器
　　 - DC-DC转换器
　　2. 电机驱动：
　　 - 无刷直流电机控制器
　　 - 步进电机驱动器
　　3. 电池管理系统（BMS）：
　　 - 保护电路
　　 - 充电管理
　　4. 照明系统：
　　 - LED驱动器
　　 - 荧光灯镇流器
　　5. 工业控制：
　　 - 继电器替代
　　 - 可编程逻辑控制器（PLC）中的开关组件
　　通过其高性能和可靠性，FB31N20D可以满足多种复杂功率控制需求。