型号：FB18N50K
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：1.8A
　　最大功耗（Pd）：43W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值2.2Ω（在Vgs=10V时）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
　　输入电容（Ciss）：典型值350pF
　　输出电容（Coss）：典型值100pF
　　反向恢复时间（trr）：未集成体二极管快速恢复特性
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F
　　极性：N-Channel
　　开启电压Vgs：10V标准驱动

FB18N50K作为一款高性能的N沟道MOSFET，在结构设计和材料选择上采用了先进的平面工艺与高纯度硅基半导体技术，从而实现了优异的电气性能和稳定性。其最大的特点之一是具备高达500V的漏源击穿电压，使其非常适合用于离线式开关电源等高压应用场景中。即使在输入交流电压波动较大的情况下，该器件也能保持稳定的关断状态，有效防止因过压导致的误导通或击穿失效。
　　其次，该MOSFET的导通电阻Rds(on)在Vgs=10V条件下典型值为2.2Ω，这一数值在同类500V耐压等级的器件中处于较为理想的水平，能够在中等电流负载下显著降低导通损耗，提高系统整体效率。同时，较低的Rds(on)也有助于减少发热，提升系统的热稳定性，延长使用寿命。
　　另外，FB18N50K具有较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），这使得其在高频开关操作中表现出色。较小的栅极电荷意味着所需的驱动能量更少，不仅降低了驱动电路的设计复杂度，也减少了开关过程中的动态损耗，特别适用于工作频率较高的PWM控制电路。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力和热稳定性，能够在瞬态过载或短路情况下承受一定的能量冲击而不发生永久性损坏。结合其TO-220F封装所提供的优良散热路径，可以在不加额外散热片的情况下承担一定功率的持续工作，适用于紧凑型电源设计。
　　值得一提的是，FB18N50K的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，表明其可在极端环境温度下稳定运行，适应工业、户外及高温恶劣环境的应用需求。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，无铅且不含有害物质，满足现代电子产品对绿色制造的要求。综合来看，FB18N50K凭借其高耐压、低导通电阻、良好开关特性与可靠的封装设计，成为众多中功率电源系统中的优选器件。

FB18N50K主要应用于各类需要高电压、中低电流开关控制的电力电子系统中。最常见的用途是在反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑结构的开关模式电源（SMPS）中作为主开关管使用，尤其是在AC-DC适配器、充电器、机顶盒电源模块等消费类电子产品中广泛应用。其500V的耐压能力足以应对整流后的市电峰值电压，即使在电网电压波动较大的地区也能确保安全可靠运行。
　　此外，该器件也被广泛用于LED恒流驱动电源中，特别是在隔离式降压或升压变换器中作为功率开关元件。由于LED照明系统对能效和寿命要求较高，FB18N50K的低导通电阻和低开关损耗特性有助于提升整个驱动电路的效率，减少发热，进而提高灯具的整体可靠性。
　　在工业控制领域，FB18N50K可用于小型电机驱动电路、电磁阀控制、继电器驱动等场景，实现对负载的高速通断控制。其快速的开关响应能力和较强的抗干扰性能使其在复杂的工业电磁环境中依然能够稳定工作。
　　同时，该MOSFET还可用于太阳能光伏微逆变器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）中的充放电控制单元等新能源相关设备中。在这些应用中，器件需要长时间连续运行并承受一定的环境应力，而FB18N50K所具备的宽温度范围和高可靠性正好满足此类需求。
　　此外，由于其TO-220F封装便于安装散热片，因此在一些需要手动维修或更换的设备中也具有较高的实用性。总体而言，FB18N50K凭借其均衡的性能指标和成熟的供应链支持，已成为许多中低端功率应用中的主流选择之一。

FQA19N50, K2186, 2SK2186, STP19NM50N