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T1P41C 发布时间 时间:2025/12/29 14:55:39 查看 阅读:14

T1P41C 是一款由东芝(Toshiba)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效率和高功率密度的电源管理应用中。这款MOSFET采用先进的制造工艺,具备低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,能够在高温和高压条件下稳定运行。T1P41C通常用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关、电机控制等应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):40V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):180A(在Tc=25°C时)
  导通电阻(Rds(on)):最大4.1mΩ(在Vgs=10V时)
  最大功耗(Pd):250W
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装类型:TO-220

特性

T1P41C具有多项优异的电气和机械特性,使其适用于高性能电源系统。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。其次,该器件具有高电流处理能力,能够在高负载条件下稳定运行,适用于高功率应用。此外,T1P41C采用了先进的封装技术,提供了良好的热管理和机械稳定性,有助于在高温环境下保持性能稳定。该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力,能够在瞬态过电压条件下提供额外的保护。其栅极驱动特性优化,使得开关损耗更低,提高了整体系统的能效。最后,T1P41C的封装设计便于安装和散热管理,适用于多种工业和汽车电子应用。
  该器件的高可靠性和耐用性使其成为电源管理领域的理想选择。其工作温度范围广泛,能够在极端环境下正常工作,满足工业级和汽车级应用的需求。此外,T1P41C的制造工艺确保了器件的一致性和稳定性,降低了故障率,提高了整体系统的可靠性。

应用

T1P41C MOSFET主要用于需要高效率和高功率密度的电源管理系统中。它广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备以及电动汽车充电系统等领域。由于其低导通电阻和高电流处理能力,T1P41C特别适用于需要高功率输出和高效率的应用场景。例如,在DC-DC转换器中,T1P41C可以作为主开关器件,提高能量转换效率;在电机控制电路中,它可以用于控制电机的启停和速度调节;在电池管理系统中,T1P41C可用于电池充放电控制和保护电路。此外,该器件还可用于高功率LED驱动、不间断电源(UPS)和太阳能逆变器等应用中。

替代型号

SiHF41N04Si、IRF1410、FDP41N04、FDV41N04

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