型号：FB13N50A
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：13A @ 25℃
　　脉冲漏极电流（Idm）：52A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　功耗（Pd）：150W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.38Ω，最大值0.45Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值3.0V，范围2.0~4.0V
　　输入电容（Ciss）：约1100pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：约360pF
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管快速恢复特性
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装：TO-220F
　　极性：N-Channel Enhancement Mode

FB13N50A采用先进的高压MOSFET制造工艺，具备出色的电气性能和热稳定性，能够满足多种高要求的功率开关应用需求。其最大漏源击穿电压高达500V，确保在高压系统中具备足够的安全裕量，防止因瞬态过压导致的器件损坏。该器件的导通电阻较低，在Vgs=10V条件下，Rds(on)最大仅为0.45Ω，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。这种低Rds(on)特性特别适用于大电流开关应用，如开关电源中的主开关管或电机控制电路中的驱动元件。
　　该MOSFET具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达13A（在25℃下），并支持高达52A的脉冲电流，使其能够在短时高峰值负载下稳定运行。此外，其栅极电荷（Qg）相对较低，有利于减少驱动电路的能量消耗，并提升开关速度，从而降低开关损耗，进一步优化高频工作的能效表现。输入电容约为1100pF，输出电容为360pF，这些参数使其适合工作在几十kHz至数百kHz的开关频率范围内。
　　FB13N50A的阈值电压在2.0V至4.0V之间，典型值为3.0V，这意味着它可以在标准逻辑电平信号驱动下实现有效开启，兼容多数常见的PWM控制器输出。同时，其栅源电压耐受能力达到±30V，提供了良好的抗干扰能力和使用安全性。TO-220F封装不仅具备优良的散热性能，还通过绝缘封装设计实现电气隔离，避免了额外安装绝缘垫片的需要，简化了散热结构设计，提升了系统的可靠性和装配效率。
　　该器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，可在严苛环境条件下稳定运行，适用于工业控制、电力设备和户外电子装置等应用场景。其符合RoHS指令要求，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品对环保法规的要求。此外，该器件具有良好的雪崩能量承受能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。总体而言，FB13N50A是一款兼具高性能、高可靠性和良好热管理特性的高压N沟道MOSFET，是中等功率电源系统中的理想选择。

FB13N50A广泛应用于各类需要高压、大电流开关控制的电子系统中。常见用途包括：开关模式电源（SMPS），尤其是反激式、正激式和半桥拓扑结构的AC-DC电源适配器与工业电源模块；DC-DC转换器中的高压侧开关管，用于实现高效的电压调节；电子镇流器和高强度放电灯（HID）照明控制系统；电机驱动电路，特别是在小功率工业电机或风扇控制中作为主开关元件；逆变器系统，如太阳能微逆变器或UPS不间断电源中的功率切换部分；此外，也适用于各类工业自动化设备、充电器、LED驱动电源以及家用电器中的电源模块。其高击穿电压和较强的电流能力使其成为替代传统双极型晶体管的理想选择，尤其在追求小型化和高效率的设计中表现出色。

FQP13N50, K13N50, STP13NK50ZFP, 13N50, IRFBC40