FAS236U 时间：2025/12/29 13:17:46 阅读：15

FAS236U 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的双N沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8封装形式。这款MOSFET被广泛应用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等高效能电源管理电路中。FAS236U设计用于在低电压应用中提供高效率和卓越的热性能，适用于便携式电子设备和通信设备中的电源管理模块。

参数

类型：增强型MOSFET
　　沟道类型：双N沟道
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：4.1A
　　功耗(Pd)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SO-8

特性

FAS236U MOSFET具备多项显著特性，使其在众多功率管理应用中表现出色。首先，其双N沟道结构设计使得单个封装中集成两个独立的MOSFET，有助于减少PCB空间占用，提升系统集成度。其次，该器件的导通电阻(Rds(on))较低，在4.5V栅极驱动电压下可实现低于80mΩ的Rds(on)，从而降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，FAS236U采用SO-8封装，具有良好的热性能和散热能力，确保在高负载条件下依然稳定运行。其栅极驱动电压范围宽广，支持逻辑电平驱动，适用于多种控制电路。该器件还具备良好的抗雪崩能力和过热保护性能，增强了系统在极端条件下的可靠性。
　　值得一提的是，FAS236U在制造过程中采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使其在保持小尺寸的同时仍能提供优异的电气性能。这种技术还能有效减少开关损耗，提高整体能效。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的电子产品。

应用

FAS236U MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　? 同步整流电路：用于提高电源转换效率，特别是在DC-DC转换器中；
　　? 负载开关：控制电源供应至不同电路模块，适用于便携式设备的节能管理；
　　? 电池管理系统：用于智能充放电控制和电池保护；
　　? 通信设备：如基站、路由器等设备中的电源管理模块；
　　? 工业控制系统：用于电机驱动、传感器供电管理等应用场景；
　　? 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源管理子系统。