BAS20WT/R是一款由Nexperia(原Philips Semiconductor)生产的高速小信号二极管,常用于高频开关和整流应用。该器件基于硅半导体技术,具备快速恢复时间和低正向压降的特性。BAS20WT/R采用小型SOT-23(TO-236)封装,适用于空间受限的电路设计。该二极管广泛应用于通信设备、电源管理电路、信号整流器、逻辑电路以及汽车电子系统中。
类型:硅高速开关二极管
最大正向电流:100 mA
最大反向电压:70 V
正向压降:1 V(最大值)
反向漏电流:100 nA(最大值)
恢复时间:25 ns
封装形式:SOT-23(TO-236)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
存储温度范围:-65°C 至 150°C
结电容:约2.5 pF
BAS20WT/R二极管具有多项优良的电气特性,使其适用于各种高频和低功耗应用。首先,其快速恢复时间仅为25 ns,使其在高频开关电路中表现出色,减少开关损耗,提高电路效率。其次,最大正向电流为100 mA,适合低至中功率的信号处理应用。该器件的最大反向电压为70 V,能够在中等电压环境下稳定工作。正向压降的最大值为1 V,保证了较低的功率损耗。此外,其反向漏电流在最大工作条件下不超过100 nA,确保了在高温或高阻断电压下的稳定性。该器件的结电容约为2.5 pF,在高频应用中对信号传输的干扰较小,适用于射频信号处理和数据线路保护。SOT-23封装不仅体积小巧,而且具有良好的热稳定性和机械强度,适用于自动贴片(SMT)工艺,便于大批量生产。其工作温度范围从-55°C到+150°C,适应广泛的工作环境,包括工业控制和汽车电子应用。
BAS20WT/R因其高速开关特性和紧凑的封装形式,被广泛应用于多个电子领域。例如,在通信设备中,它常用于射频信号路径中的整流或保护电路,防止反向信号干扰。在电源管理系统中,它可作为低功耗整流二极管使用,提高能效。此外,该器件也常用于数字逻辑电路中的电平转换和信号隔离。由于其SOT-23封装的小型化特点,BAS20WT/R非常适合空间受限的便携式设备,如智能手机、平板电脑和无线模块。在汽车电子中,该二极管可用于车载电源转换系统、传感器信号处理以及车载娱乐系统的高频信号整流。此外,它还可用于工业控制系统的信号隔离与保护,提高系统的稳定性和可靠性。
BAS21、BAV20、BAV21WT、BAS20T/R、BAS20-04、BAS20-05、1N4148、1N4448