FAN6793NY 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的高性能、低边MOSFET驱动器芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和电源管理系统中。该芯片采用高压工艺制造,能够直接驱动N沟道MOSFET,提供快速的开关响应和高驱动能力。FAN6793NY具有宽输入电压范围、高抗噪能力和多种保护功能,适用于高效率和高可靠性的电源设计。
工作电压:4.5V - 20V
输出电流:±3A(典型值)
传播延迟:15ns(典型值)
上升时间:5ns(典型值)
下降时间:5ns(典型值)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装类型:SOIC-8
FAN6793NY具备优异的驱动性能和稳定性,能够承受高电压和高频率的工作环境。其内部集成了欠压锁定(UVLO)保护功能,确保在电源电压不足时关闭MOSFET,防止误操作和器件损坏。此外,该芯片具有高抗噪能力,能够有效抑制高频噪声干扰,确保信号传输的稳定性。FAN6793NY的输出驱动能力强,可支持大功率MOSFET的快速开关,从而提高系统效率。其低静态电流设计也有助于降低功耗,提高系统整体能效。
该芯片的封装采用标准的SOIC-8形式,便于在PCB上布局和焊接。其宽输入电压范围使其适用于多种电源架构,包括同步整流、推挽式和半桥式拓扑结构。FAN6793NY在设计中兼顾了高性能与高可靠性,是工业电源、电信设备和消费类电子产品中MOSFET驱动的理想选择。
FAN6793NY主要应用于各种类型的开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动电路、LED照明电源、工业自动化设备以及高效率电源管理系统。由于其快速响应能力和高驱动电流特性,该芯片特别适用于需要高频开关和高效能转换的场合。此外,FAN6793NY也可用于电池管理系统(BMS)中的功率控制电路,以及服务器、路由器和通信设备中的电源模块设计。
FAN6793NY的替代型号包括FAN6793N、FAN6793AMX、NCP8104、LM5112、IRS2001