容量：1 Mbit（128K x 8）
　　工作电压：2.7V 至 5.5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：16引脚 SOIC
　　接口类型：I2C 兼容
　　最大时钟频率：400 kHz（在1 MHz模式下可达1 MHz）
　　写入耐久性：10^14 次/单元
　　数据保留时间：超过10年
　　封装尺寸：标准16引脚SOIC

FA8B16N-C6-R3 是富士通FRAM系列中的一员，具有卓越的性能和可靠性。其核心特性之一是卓越的写入耐久性，支持高达10^14次/单元的写入操作，远超传统EEPROM和闪存技术。这意味着在需要频繁更新数据的应用中，例如工业控制系统、智能仪表和数据记录设备，它能够显著延长设备的使用寿命。此外，FA8B16N-C6-R3 不需要任何写入延迟时间，允许在断电前立即写入数据，确保数据完整性。
　　该芯片的工作电压范围为2.7V至5.5V，使其能够在多种电源条件下稳定运行，适用于各种便携式设备和工业控制系统。由于其低功耗特性，在待机模式下的电流消耗极低，适合用于电池供电设备。FA8B16N-C6-R3 采用标准的I2C接口，支持400 kHz至1 MHz的通信速率，兼容大多数微控制器和嵌入式系统，简化了系统集成过程。
　　另一个显著优势是其数据保留能力，在断电情况下可保持数据长达10年以上，而不会发生数据丢失。这使得它非常适合用于需要长期存储关键数据的应用，如智能卡终端、医疗设备和汽车电子系统。此外，其-40°C至+85°C的宽工作温度范围确保在极端环境条件下仍能稳定运行。

FA8B16N-C6-R3 主要用于对数据写入频率要求较高的场合，例如工业自动化设备中的参数存储、智能电表中的数据记录、汽车电子系统中的故障代码存储、医疗设备中的患者数据存储等。此外，它还可广泛应用于POS终端、安全系统、数据采集系统以及各种便携式电子设备中，提供可靠的数据存储解决方案。

MB85RC1MTNPF-G-BPKE Fujitsu FRAM替代型号
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