型号: FA8A71N-A2-R3
　　额定电流: 300 mA
　　阻抗（100 MHz）: 2200 Ω
　　直流电阻（DCR）: 最大 0.95 Ω
　　额定电压: 6.3 V
　　尺寸（长 x 宽 x 高）: 1.6 mm x 0.8 mm x 0.8 mm
　　温度范围: -55°C ~ +125°C

FA8A71N-A2-R3 磁珠具有高阻抗特性，在100 MHz频率下可达2200Ω，有效抑制高频噪声。
　　该磁珠采用小尺寸封装（1.6 mm x 0.8 mm x 0.8 mm），适用于空间受限的高密度PCB布局。
　　其低直流电阻（最大0.95Ω）确保了在通过较大电流时仍能保持较低的电压降和功耗。
　　工作温度范围宽达-55°C至+125°C，适用于各种恶劣环境条件下的稳定运行。
　　此外，该磁珠具有优异的温度稳定性和可靠性，能够在长时间运行中保持性能稳定，适用于工业级和汽车级应用。

FA8A71N-A2-R3 广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要高效抑制高频噪声的场合。
　　例如，在电源管理电路中，该磁珠可用于滤除开关电源产生的高频噪声，提高电源质量。
　　在高速数字电路中，FA8A71N-A2-R3 可用于信号线路的噪声抑制，防止信号干扰导致的数据错误或通信不稳定。
　　此外，该磁珠也常用于射频（RF）电路中，用于隔离不同电路模块之间的高频噪声，提升系统整体的电磁兼容性（EMC）性能。
　　在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，FA8A71N-A2-R3 被广泛用于电源输入端口和数据传输线路的噪声滤波，以提高设备的稳定性和可靠性。
　　在汽车电子系统中，该磁珠可用于车载信息娱乐系统、ADAS（高级驾驶辅助系统）和车载充电模块，以满足严格的电磁干扰（EMI）标准。

FA8A71N-A2-R3 可以使用类似规格的片状铁氧体磁珠替代，例如 TDK 的 FA8A71N-A2-R3-S、FA8A71N-A2-R3-T、FA8A71N-A2-R3-L 和 Murata 的 BLM18PG222SN1D、BLM18PG222SH1D 等。