型号：FA5323
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：离线式PWM控制器+集成MOSFET
　　拓扑结构：反激式（Flyback）
　　工作模式：电流模式控制
　　启动电压：13 V（典型值）
　　工作电压范围：10.5 V 至 24 V
　　最大占空比：约65%
　　开关频率：65 kHz（典型值）
　　集成MOSFET耐压：650 V
　　集成MOSFET导通电阻：典型值9 Ω
　　电流检测阈值：0.78 V（典型值）
　　反馈输入类型：光耦反馈（FB引脚）
　　封装形式：DIP-8、SOP-8
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　关断电流：<1 μA（典型值）
　　待机功耗：<30 mW（典型应用下）
　　内置软启动功能：有
　　保护功能：过压保护、过流保护、过温保护、欠压锁定

FA5323具有多项先进特性，使其在小功率电源设计中表现出色。首先，它集成了650V高压MOSFET，省去了外接功率管的需求，简化了PCB布局并减少了元件数量，有助于缩小产品体积并提升可靠性。其次，该芯片采用电流模式PWM控制架构，提供快速的瞬态响应能力和良好的线性调整率与负载调整率，能够有效抑制次谐波振荡，提升环路稳定性。其内置的软启动机制可防止开机时出现浪涌电流，避免对变压器和输出电容造成冲击，延长系统寿命。
　　另一个关键特性是全面的保护机制。芯片内部集成了多重安全保护功能，例如当检测到反馈回路异常导致输出电压过高时，OVP功能会立即关闭MOSFET以防止损坏后级电路；当芯片结温超过设定阈值（通常为145°C左右）时，OTP功能将自动切断输出，待温度下降后恢复运行，实现“打嗝”模式保护。此外，UVLO确保芯片仅在供电电压达到稳定水平后才开始工作，避免低压下的不稳定操作。
　　FA5323还优化了轻载和空载条件下的能效表现。通过动态调节开关频率或进入脉冲跳跃模式（Burst Mode），可在低负载情况下大幅降低开关损耗和驱动损耗，从而实现极低的待机功耗，满足严苛的环保法规要求。这种智能节能技术特别适用于长期插电但间歇工作的消费类电子产品。
　　最后，该芯片具备良好的EMI性能设计，通过内部斜坡补偿和频率抖动（部分版本可能支持）技术来降低电磁干扰峰值，帮助工程师更容易通过EMI认证测试。综合来看，FA5323是一款兼顾性能、成本与合规性的理想选择，尤其适合用于5W至15W范围内的通用电源设计场景。

FA5323广泛应用于多种低功率AC-DC电源系统中，典型应用场景包括手机充电器、USB适配器、智能家居设备电源模块、路由器和网络摄像头的供电单元、白色家电的辅助电源（如微波炉、洗衣机显示面板供电）、智能电表、工业传感器供电以及LED照明驱动电源等。由于其高集成度和出色的能效表现，FA5323特别适用于需要满足六级能效标准（DoE Level VI）和欧盟CoC Tier 2规范的产品设计。此外，在需要无风扇自然冷却的小型封闭式设备中，该芯片的低发热特性也显得尤为重要。其稳定的控制性能和可靠的保护机制使其在恶劣电网环境下仍能保持长时间稳定运行，因此也被广泛用于发展中国家或电网波动较大的地区所使用的电子设备电源方案中。无论是作为主电源还是待机电源，FA5323都能提供高效、紧凑且经济的解决方案，深受中小功率开关电源设计工程师的青睐。

FAN6300MX
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