时间：2025/8/25 3:49:32
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FA4N100Q是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的STripFET? F4技术制造。该器件专为高效率、高频率开关应用设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化系统。FA4N100Q具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力（100V）以及优异的热稳定性，是中高功率应用中的理想选择。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：45A（在Tc=25°C时）
导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=10V时，最大值为19mΩ
功率耗散（Ptot）：130W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220、TO-262（具体取决于版本）
FA4N100Q采用了STMicroelectronics的第四代STripFET?技术，具有显著降低的导通电阻和开关损耗，从而提高了整体系统效率。其低Rds(on)特性在高电流应用中减少了功率损耗和热量生成，增强了器件的热性能。
此外，FA4N100Q具备出色的雪崩耐受能力和高短路电流承受能力，确保在严苛工作条件下仍能稳定运行。该MOSFET的封装设计优化了散热性能，支持快速热传导，适合在紧凑型高功率密度设计中使用。
该器件还具有快速开关速度，适用于高频操作环境，如开关电源（SMPS）、电机驱动器和电池管理系统。其栅极驱动电压范围宽广，兼容标准和逻辑级驱动器，提高了设计的灵活性。
FA4N100Q广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制与驱动、工业自动化设备、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及电动车充电系统。其高效率和高可靠性使其成为高性能电源管理方案的首选器件之一。
IPB04N10N3 G、IRF3710、SiR100N10DP-T1-GE3、FDMS86180、FDBL04N10A
