F9NK90Z 时间：2025/7/22 15:01:16 阅读：5

F9NK90Z 是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的功率MOSFET，属于功率半导体器件的一种。MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）广泛用于电源管理、电动机控制、逆变器和各种功率电子应用中。F9NK90Z 属于高电压、大电流类型的N沟道增强型MOSFET，适用于高功率密度和高效率的开关应用。其封装形式通常为TO-220或类似的功率封装，便于散热和安装。该器件在设计上优化了导通电阻（Rds(on)）和开关损耗之间的平衡，使其在高频开关应用中表现出色。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：4.8A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.5Ω（最大）
　　功率耗散（Pd）：80W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

F9NK90Z 作为一款高性能的功率MOSFET，具有多项优异的电气和热性能特点。首先，其高耐压能力（900V）使其适用于高电压开关应用，如电源适配器、工业电机驱动器和UPS系统。其次，该器件的低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高整体系统的能效。此外，F9NK90Z 采用了先进的硅片工艺和封装技术，确保在高电流和高温条件下仍能稳定工作。热阻较低的设计也有助于改善散热性能，延长器件的使用寿命。该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，增强了其在恶劣工作环境下的可靠性。最后，由于其栅极驱动要求较低，F9NK90Z 可以与多种类型的驱动电路兼容，简化了电路设计并降低了驱动成本。

应用

F9NK90Z 广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、照明驱动器、工业自动化设备以及电动汽车的电源管理系统。其高耐压和低导通电阻的特性使其特别适用于需要高效能和高可靠性的场合，例如变频器、UPS（不间断电源）系统和电池管理系统。此外，该器件也常用于家用电器中的功率控制模块，如空调压缩机驱动、电磁炉功率调节等。由于其具备良好的高频开关性能，F9NK90Z 也常用于高频逆变器和谐振变换器中，以实现更高的功率密度和转换效率。