内核：ARM Cortex-M3
　　主频：最高可达200 MHz
　　Flash存储器：最高可达2 MB
　　SRAM：最高可达256 KB
　　工作电压：2.7V 至 5.5V
　　封装：100引脚 LQFP
　　温度范围：-40°C 至 +85°C
　　I/O端口：最多80个可编程I/O
　　定时器：多个16位和32位定时器
　　通信接口：支持UART、SPI、I2C、CAN、USB等
　　ADC：12位多通道模数转换器
　　DAC：12位数模转换器

F800BGHB-BTLZE 微控制器采用了高性能的ARM Cortex-M3内核，具备强大的处理能力，能够运行复杂的应用程序和实时控制任务。该芯片支持多种电源管理模式，包括待机、休眠和深度休眠模式，能够在保证性能的同时实现低功耗运行，适用于电池供电设备和高能效系统。
　　该器件内置大容量Flash和SRAM，支持程序存储和数据缓存，适合需要大量数据处理和存储的应用场景。其丰富的外设接口包括UART、SPI、I2C、CAN和USB等，能够实现与多种外部设备的高速通信，增强了系统的扩展性和兼容性。
　　此外，F800BGHB-BTLZE 支持多种封装形式和工业级温度范围，确保在各种环境条件下都能稳定运行。其内置的硬件加密模块和安全启动功能增强了系统的安全性，适用于对数据安全有高要求的应用场景。

F800BGHB-BTLZE 广泛应用于工业自动化控制、智能仪表、汽车电子系统、医疗设备、楼宇自动化、家用电器以及物联网（IoT）设备等领域。其强大的处理能力和丰富的外设接口使其成为复杂控制系统和智能终端的理想选择。

FM3系列 MB9BF506K、STM32F207、XC7Z010