F7404 时间：2025/12/26 20:09:22 阅读：10

F7404是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等高效率功率转换场合。该器件采用先进的TrenchFET技术，能够在低电压应用中提供极低的导通电阻（RDS(on)），从而显著降低导通损耗，提高系统整体效率。F7404特别适用于对空间和能效要求较高的便携式电子设备和工业控制系统。其封装形式为DPAK（TO-252），具备良好的热性能和机械稳定性，适合在较为严苛的工作环境中使用。此外，F7404具有快速开关能力，能够支持高频工作模式，有助于减小外围滤波元件的尺寸，进一步缩小系统体积。该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适用于绿色电子产品设计。

参数

型号：F7404
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：40V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：130A（TC=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：520A
　　导通电阻RDS(on)：2.8mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极电荷Qg：76nC（典型值）
　　输入电容Ciss：3420pF（典型值）
　　开启延迟时间td(on)：18ns
　　关断延迟时间td(off)：38ns
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +175℃
　　封装：DPAK（TO-252）

特性

F7404采用先进的TrenchFET沟道技术，通过优化晶胞结构和掺杂工艺，在40V的中低压范围内实现了极低的导通电阻。其典型RDS(on)仅为2.8mΩ，在大电流应用中可显著减少I2R损耗，提升系统效率。这种低导通电阻特性使其非常适合用于电池供电设备中的同步整流、DC-DC降压变换器以及电机驱动电路，有效降低温升并延长电池寿命。此外，Trench结构还提升了器件的电流密度，使得在相同封装下能够承载更高的电流，增强了功率处理能力。
　　F7404具备优异的开关特性，其栅极电荷Qg仅为76nC，输入电容Ciss为3420pF，这使得器件在高频开关应用中能够快速响应栅极驱动信号，减少开关过渡时间，从而降低开关损耗。开启延迟时间约为18ns，关断延迟时间为38ns，配合低米勒电容设计，有效抑制了开关过程中的电压振荡和寄生导通现象。这一特性对于提高开关电源的工作频率、减小电感和电容体积、实现小型化电源模块至关重要。
　　该器件采用DPAK（TO-252）封装，具有较大的漏极焊盘面积，有利于热量从封装底部传导至PCB，提升散热效率。在良好散热条件下，连续漏极电流可达130A，脉冲电流能力高达520A，展现出强大的过载承受能力。同时，其宽泛的工作结温范围（-55℃至+175℃）确保了在高温工业环境或瞬态过载情况下仍能稳定运行。内置的体二极管具备较快的反向恢复特性，适用于需要续流功能的拓扑结构，如H桥和同步整流电路。

应用

F7404广泛应用于各类中高功率直流电源系统，包括服务器电源、通信电源模块、笔记本电脑适配器以及工业电源单元。其低导通电阻和高电流能力使其成为同步整流电路中的理想选择，特别是在多相VRM（电压调节模块）中用于提升CPU供电效率。此外，该器件也常用于电机控制领域，如直流无刷电机驱动器、电动工具和电动车控制器，能够高效地切换大电流负载。在电池管理系统（BMS）中，F7404可用于充放电通路的主开关，提供低损耗的功率路径。由于其高频开关性能优越，也适用于LLC谐振变换器、ZVS/ZCS软开关拓扑等先进电源架构。此外，在太阳能逆变器、UPS不间断电源和LED驱动电源中也能见到其身影，满足对高效率和高可靠性要求的应用场景。