时间：2025/8/24 15:23:07
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F731136B/P 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）设计的功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等高效率功率转换系统中。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适合于高频开关应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：100A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：最大12mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散（Pd）：250W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
F731136B/P 具有非常低的导通电阻，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其高电流承载能力和良好的热性能使其在高功率密度应用中表现出色。此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于减小外部电感和电容的尺寸，提升系统整体性能。
该器件的封装采用表面贴装技术（SMT），便于自动化生产，同时具备良好的散热性能。其栅极设计优化，确保在各种工作条件下都能稳定运行。此外，F731136B/P 还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压情况下保持器件的可靠性。
从设计角度来看，F731136B/P 的电气特性和机械特性均经过严格测试，符合工业标准，适用于各类严苛环境中的功率管理应用。
F731136B/P 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、服务器电源以及汽车电子系统等。由于其高效率和高可靠性，特别适合需要高功率密度和高效能转换的应用场景。
SiS166DN, IRF1405, FDS6680, IPP110N10N3G
