型号：F6KB1G960B4GP-Z
　　制造商：Samsung
　　产品类型：3D V-NAND Flash
　　存储容量：64Gb（8GB）
　　工艺技术：V-NAND（垂直堆叠NAND）
　　电压范围：2.7V ~ 3.6V（典型值3.3V）
　　封装类型：BGA，裸片（KGD）
　　接口类型：ONFI或Toggle Mode兼容
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　编程/擦除周期：典型10,000 P/E cycles
　　存储密度：64 Gb
　　数据保持时间：10年（在额定条件下）
　　位密度：每单元2bit（MLC）或3bit（TLC）模式支持
　　带宽：支持高吞吐量连续读写操作
　　可靠性：具备ECC支持、坏块管理、磨损均衡兼容能力

F6KB1G960B4GP-Z采用三星领先的3D V-NAND技术，通过将存储单元垂直堆叠在硅基板上，突破了传统平面NAND在制程微缩上的物理极限，显著提升了单位面积内的存储密度，同时降低了单元间的干扰效应，提高了数据稳定性与可靠性。
　　该芯片支持多层单元（MLC/TLC）编程模式，能够在性能与成本之间实现良好平衡，适用于需要大容量存储但对价格敏感的应用场景。其内置的高级错误校正码（ECC）机制和坏块管理功能，确保在长期使用过程中仍能维持数据完整性与系统稳定性。
　　作为KGD（已知良品裸片），F6KB1G960B1G960B4GP-Z在出厂前经过严格测试，保证其电性参数、功能完整性和可靠性均符合规格要求，可直接用于多芯片封装流程，减少二次筛选成本，提高生产效率。
　　该器件具备低功耗特性，支持多种待机和睡眠模式，适合电池供电的移动设备使用。其高速接口兼容ONFI或Toggle Mode标准，能够实现快速数据传输，满足高清视频录制、大型应用程序加载等高带宽需求。
　　此外，F6KB1G960B4GP-Z设计时充分考虑了工业环境下的稳定性要求，支持宽温工作范围（-40°C至+85°C），可在恶劣环境下稳定运行，适用于车载电子、工业控制等对可靠性要求较高的领域。其出色的耐用性（高达10,000次编程/擦除周期）和长达10年的数据保持能力，使其成为长期数据存储的理想选择。

F6KB1G960B4GP-Z广泛应用于需要高密度、小尺寸、低功耗存储解决方案的各类电子系统中。在智能手机和平板电脑中，它常被用作eMMC或UFS封装中的核心存储单元，支持操作系统、应用程序和用户数据的高效存储与访问。
　　在物联网（IoT）设备中，如智能穿戴设备、智能家居控制器和远程监控终端，该芯片凭借其小体积和低功耗优势，成为理想的本地存储介质。
　　在车载电子系统中，包括车载信息娱乐系统（IVI）、数字仪表盘和ADAS辅助驾驶模块，F6KB1G960B4GP-Z可用于存储地图数据、固件程序和行车记录，其宽温特性和高可靠性确保在复杂路况下稳定运行。
　　此外，该芯片也适用于工业自动化设备、医疗电子仪器和便携式测试仪器等领域，为嵌入式系统提供持久、可靠的非易失性存储支持。由于其以裸片形式提供，特别适合用于SiP（系统级封装）或MCP（多芯片封装）设计，帮助客户实现更高集成度的产品架构，减少PCB占用空间并提升整体性能。