时间：2025/12/28 10:05:07
阅读：17
F4N60B是一款由UTC（友顺科技）生产的N沟道增强型高压功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制等高效率、高频率的电力电子系统中。该器件采用先进的平面条纹式栅极工艺制造，结合了高压性能与低导通电阻的优势，能够在高达600V的漏源电压下稳定工作，适用于需要高耐压和良好热稳定性的工业级应用场合。F4N60B封装形式为TO-220或TO-220F，具备良好的散热性能，适合在恶劣环境下长期运行。其设计目标是在保证高可靠性的同时，降低开关损耗和导通损耗，从而提高整体系统的能效表现。该MOSFET特别适合用于反激式变换器、离线式开关电源（SMPS）、LED驱动电源等拓扑结构中，作为主开关元件使用。此外，F4N60B还具有较低的输入电容和输出电容，有助于减少高频下的驱动损耗，并提升系统的动态响应能力。由于其优异的雪崩能量承受能力和坚固的栅氧化层设计，F4N60B在瞬态过压和电流冲击条件下表现出较强的鲁棒性，是许多中等功率电源设计中的优选器件之一。
型号：F4N60B
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：4A @ 25°C
脉冲漏极电流(Id_pulse)：16A
导通电阻(Rds(on))：2.2Ω @ Vgs=10V
阈值电压(Vgs(th))：3~5V
功耗(Pd)：50W
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
输入电容(Ciss)：950pF @ Vds=25V
输出电容(Coss)：180pF @ Vds=25V
反向传输电容(Crss)：40pF @ Vds=25V
上升时间(tr)：75ns
下降时间(tf)：45ns
体二极管反向恢复时间(trr)：475ns
F4N60B具备出色的电气特性和热稳定性，使其成为中高功率开关电源中的关键组件。其最大漏源电压可达600V，能够适应宽范围的输入电压波动，尤其适用于AC-DC转换器中面对电网电压突变的应用场景。该器件的导通电阻在标准测试条件（Vgs=10V）下仅为2.2Ω，有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。同时，较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd）使得器件在高频开关操作中所需的驱动能量更少，有利于简化驱动电路设计并减少EMI干扰。F4N60B采用了优化的平面栅结构，增强了器件的均匀性和一致性，提升了长期工作的可靠性。其具备较高的雪崩能量承受能力，能够在突发短路或电感负载断开时吸收一定的能量而不发生永久性损坏，这对于保护整个电源系统至关重要。
此外，F4N60B拥有良好的热阻特性，典型结到外壳热阻（Rth(j-c)）约为2.5°C/W，在配备适当散热器的情况下可长时间承载额定电流。其体二极管具有较慢的反向恢复特性（trr约475ns），虽然在某些高频硬开关应用中可能引起额外损耗，但在多数反激拓扑中仍可接受。器件符合RoHS环保要求，采用无铅封装工艺，支持自动化装配流程。F4N60B还具备较强的抗噪能力和静电放电（ESD）防护能力，栅氧层经过特殊处理以防止因静电引起的击穿。总体而言，这些特性使F4N60B在成本、性能和可靠性之间实现了良好平衡，广泛受到电源工程师的青睐。
F4N60B主要应用于各类中等功率等级的开关电源系统中，包括但不限于离线式反激变换器（Flyback Converter）、AC-DC适配器、LED恒流驱动电源、充电器模块、小型UPS不间断电源以及家电类变频控制电路。在这些应用中，F4N60B通常作为主开关管使用，负责将整流后的高压直流电进行高频斩波，实现能量从初级侧向次级侧的传递。由于其600V的高耐压能力，可以直接连接经桥式整流滤波后的市电（如220V AC输入后约310V DC），无需额外的降压预稳压电路，简化了前端设计。
在DC-DC升压或降压转换器中，F4N60B可用于非隔离拓扑如Boost或Buck电路，特别是在输入电压较高或输出功率需求较大的场合。此外，它也常见于逆变器系统的前级DC-DC升压环节，将低压直流（如12V/24V）升至300V以上，以便后续H桥逆变使用。在电机控制领域，F4N60B可用于小功率单相感应电机或步进电机的驱动电路中，作为功率开关元件参与PWM调速控制。由于其封装为TO-220，便于安装散热片，因此在自然对流或强制风冷条件下均可稳定运行。F4N60B也被广泛用于工业控制设备、智能电表、安防监控电源等对可靠性和寿命有较高要求的嵌入式系统中。凭借其成熟的工艺和稳定的供货渠道，F4N60B已成为众多消费类及工业类电源产品的标准配置之一。
K4N60B
AP4N60B
STP4NK60ZFP
FQP4N60C
IRFGB40
