类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：48A
　　导通电阻（RDS(on)）：10mΩ（典型值）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-220

F4810-G MOSFET 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），典型值为 10mΩ，这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。其高电流承载能力（48A 连续漏极电流）使其适用于高功率密度设计。
　　此外，该器件具备良好的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下可靠运行。F4810-G 的开关特性优异，具备快速的上升和下降时间，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。
　　该 MOSFET 还具备较高的栅极击穿电压（±20V），允许在较宽的控制电压范围内工作，增强了电路设计的灵活性。其 TO-220 封装提供了良好的散热性能，便于在标准散热条件下安装和使用。
　　在安全性和可靠性方面，F4810-G 具备过热保护和过流保护的潜力，配合适当的驱动电路和保护机制，可有效防止器件在异常工况下损坏。

F4810-G 主要应用于需要高效功率控制的场合，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制器、电池充电器和逆变器等。其高电流能力和低导通电阻也使其成为高功率 LED 驱动电路和电源管理系统中的理想选择。
　　由于其优异的开关性能和热管理能力，F4810-G 还常用于工业自动化设备、汽车电子系统以及新能源设备中，如太阳能逆变器和电动车充电系统。
　　此外，在需要高效能和高可靠性的航空航天和通信设备中，F4810-G 也具有广泛的应用潜力。

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　　 "FDP4810",
　　 "IRF4810",
　　 "STP48NF10",
　　 "FQP4810"
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