F4804A-G 时间：2025/8/7 14:26:55 阅读：14

F4804A-G是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道功率MOSFET。该器件适用于高功率开关应用，具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等特点，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等领域。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：160A（在Tc=25℃）
　　功耗（Pd）：200W
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
　　封装类型：TO-263（D2Pak）

特性

F4804A-G采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有非常低的导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了效率。
　　该器件的高电流容量和低Rds(on)使其在高功率应用中表现出色，同时降低了热量产生。
　　其TO-263表面贴装封装形式适合自动化生产，同时具备良好的热管理和功率处理能力。
　　此外，F4804A-G具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态负载条件下的可靠性。
　　由于其出色的热稳定性和坚固的结构设计，该MOSFET非常适合用于汽车电子、工业控制和高性能电源系统。

应用

F4804A-G常用于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器以及电源分配系统等应用场景。
　　此外，它也广泛应用于服务器电源、电信设备、UPS（不间断电源）系统以及汽车电子模块等高可靠性要求的领域。
　　由于其高效率和低导通损耗特性，该器件特别适合用于需要高效能功率转换的绿色能源系统和节能型电子产品中。