您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > EMB2T2R

EMB2T2R 发布时间 时间:2025/5/22 1:23:36 查看 阅读:14

EMB2T2R 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力的特点,能够在高频工作条件下保持高效性能。
  该功率晶体管采用了先进的半导体工艺制造,具备良好的热稳定性和可靠性,适用于多种工业及消费类电子应用。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:130A
  导通电阻(典型值):1.8mΩ
  栅极电荷:75nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗,提高系统效率。
  2. 高电流处理能力,适合大功率应用场景。
  3. 快速开关速度,适用于高频电路设计。
  4. 宽泛的工作温度范围,保证了在恶劣环境下的稳定性。
  5. 热增强封装设计,有助于提升散热性能。
  6. 具备优异的抗雪崩能力和耐用性,延长器件使用寿命。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 工业自动化设备
  6. 汽车电子系统中的负载切换
  7. 通信电源模块

替代型号

IRF260N, FDP150N06L, BUK7Y1R2-60E

EMB2T2R推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

EMB2T2R资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

EMB2T2R参数

  • 标准包装8,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型2 个 PNP 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)47k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)68 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装EMT6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称EMB2T2R-NDEMB2T2RTR