时间：2025/5/22 1:23:36
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EMB2T2R 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力的特点，能够在高频工作条件下保持高效性能。
该功率晶体管采用了先进的半导体工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于多种工业及消费类电子应用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：130A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷：75nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗，提高系统效率。
2. 高电流处理能力，适合大功率应用场景。
3. 快速开关速度，适用于高频电路设计。
4. 宽泛的工作温度范围，保证了在恶劣环境下的稳定性。
5. 热增强封装设计，有助于提升散热性能。
6. 具备优异的抗雪崩能力和耐用性，延长器件使用寿命。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化设备
6. 汽车电子系统中的负载切换
7. 通信电源模块
IRF260N, FDP150N06L, BUK7Y1R2-60E
