F427600 时间：2025/12/25 7:11:40 阅读：11

F427600 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 型晶体管。该晶体管设计用于高频应用，具有良好的增益和频率响应特性。F427600 通常用于射频（RF）放大器、混频器、振荡器等高频电子电路中。该器件采用 TO-92 或 SOT-23 等小型封装形式，适用于需要紧凑布局和高性能的电子设备。

参数

类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　电流增益（hFE）：110 至 800（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

F427600 晶体管具备多项优良特性，使其在高频电子电路中表现出色。首先，该晶体管的过渡频率（fT）高达 100 MHz，意味着它能够在高频条件下保持良好的电流增益，适合用于射频信号放大和处理。其次，F427600 的电流增益范围较宽，从 110 到 800 不等，具体数值取决于测试条件，这使得它可以灵活地用于不同增益需求的电路中。此外，该晶体管的最大集电极电流为 100 mA，集电极-发射极和集电极-基极的耐压均为 30 V，能够在相对较高的电压环境下稳定工作。
　　在封装方面，F427600 通常采用 TO-92 或 SOT-23 等小型封装形式，这使得它非常适合用于空间受限的电路设计。同时，其最大功耗为 300 mW，能够在较小的散热条件下正常运行，适用于电池供电设备和便携式电子产品。
　　此外，F427600 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，表明其具有良好的温度适应性，可以在极端环境下稳定运行。这一特性使其适用于工业控制、通信设备和汽车电子等对环境适应性要求较高的应用场景。

应用

F427600 主要应用于需要高频性能的电子电路中。常见的应用场景包括射频放大器、混频器、振荡器以及前置放大器等。在无线通信设备中，F427600 可用于射频信号的放大和处理，提高信号的稳定性和传输效率。此外，在音频放大电路中，F427600 也可用于前置放大阶段，以提升音频信号的质量。由于其小型封装和良好的电气特性，F427600 也广泛应用于便携式电子设备、传感器电路和嵌入式系统中。