F40098BDC是一款由STMicroelectronics生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源管理应用而设计,具备低导通电阻(RDS(on))、高耐压能力和高电流承载能力,适用于各类开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等电路。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):100V
栅源电压(VGS):±20V
漏极电流(ID):持续18A(@25°C)
导通电阻(RDS(on)):最大75mΩ(@VGS=10V)
功率耗散(PD):125W
工作温度范围:-55°C至175°C
F40098BDC采用了先进的Power MOSFET技术,具有出色的热稳定性和高可靠性。其低导通电阻可显著降低导通损耗,提高系统效率。该器件的封装设计有利于快速散热,适用于高功率密度设计。此外,其高雪崩能量承受能力确保了在恶劣工作条件下的稳定性。F40098BDC还具有快速开关特性,适用于高频开关应用,同时具备良好的抗过载和短路能力。
F40098BDC广泛应用于多种电力电子系统中,包括但不限于:开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、工业自动化设备、照明控制系统以及汽车电子系统等。
STP18NF10, IRF540N, FDPF40098BDC