F4001BPC 时间：2025/12/29 15:26:11 阅读：14

F4001BPC是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的N沟道功率MOSFET。该器件主要用于高效率的电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关、电池充电器和电机控制电路中。F4001BPC采用了先进的平面技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较高的电流承载能力，适合在高频开关环境下使用。此外，该器件封装在TO-220AB塑料封装中，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：60A（在Tc=25℃）
　　最大导通电阻（RDS(on)）：0.018Ω（在VGS=10V时）
　　栅极电压范围：±20V
　　最大功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装类型：TO-220AB

特性

F4001BPC具有多项优良的电气和热性能。首先，它的导通电阻非常低，仅为0.018Ω，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。其次，该器件能够承受高达60A的连续漏极电流，在高功率应用中表现出色。此外，F4001BPC具有较高的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作，适用于苛刻的工业和汽车应用。其TO-220AB封装设计有助于快速散热，确保器件在高负载条件下保持良好的温度控制。F4001BPC还具有较快的开关速度，适用于高频开关电源设计，从而减小外部滤波元件的尺寸和成本。此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力，能够在过载或瞬态条件下提供更高的可靠性。其栅极驱动电压范围宽广（±20V），便于与各种控制电路兼容。综合来看，F4001BPC是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于多种中高功率电子系统。

应用

F4001BPC广泛应用于多个领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（如充电器和保护电路）、电机驱动、负载开关、电源分配系统以及汽车电子等。其高电流能力和低导通电阻使其特别适合用于高效率和高功率密度的电源设计。此外，该器件也可用于逆变器、UPS（不间断电源）和工业自动化控制系统中。