F3NK80Z是来自ON Semiconductor的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用TO-263封装,广泛应用于各种需要高效开关和低导通损耗的场景。其高电压承受能力和低导通电阻使其成为电源管理、电机驱动以及DC-DC转换器等应用的理想选择。
F3NK80Z的主要特点是能够在高压条件下提供较低的导通电阻,同时具备快速开关性能。此外,它还具有出色的热稳定性和电气性能,这使得它在功率电子设计中非常受欢迎。
最大漏源电压:800V
连续漏极电流:1.1A
导通电阻(Rds(on)):550Ω
栅极电荷:4nC
输入电容:280pF
总功耗:1.7W
工作温度范围:-55°C to +150°C
F3NK80Z是一款专为高压应用设计的MOSFET,具有以下主要特性:
1. 高耐压能力:支持高达800V的漏源电压,适用于各种高压环境。
2. 超低导通电阻:在特定条件下,导通电阻仅为550Ω,显著降低了功率损耗。
3. 快速开关性能:由于其较小的栅极电荷,开关速度更快,适合高频应用。
4. 热稳定性:能够承受较宽的工作温度范围,确保在极端条件下的可靠运行。
5. 小巧封装:采用TO-263封装,便于安装和散热设计。
这些特性使F3NK80Z非常适合用于开关电源、逆变器、电机控制等领域。
F3NK80Z适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):利用其高耐压和低导通电阻特性,提高电源效率。
2. DC-DC转换器:在降压或升压转换电路中充当高效的开关元件。
3. 逆变器:用于将直流电转换为交流电的设备中,如太阳能逆变器。
4. 电机驱动:控制电机的速度和方向,特别是在高压电机驱动系统中。
5. 电池保护电路:防止过充或过放,延长电池寿命。
由于其卓越的电气特性和可靠性,F3NK80Z成为了许多工程师在设计高压功率电路时的首选元件。
FDP9478,
IRF840,
STP11NK80Z