F3NK80Z 时间：2025/6/3 9:06:39 阅读：3

F3NK80Z是来自ON Semiconductor的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TO-263封装，广泛应用于各种需要高效开关和低导通损耗的场景。其高电压承受能力和低导通电阻使其成为电源管理、电机驱动以及DC-DC转换器等应用的理想选择。
　　F3NK80Z的主要特点是能够在高压条件下提供较低的导通电阻，同时具备快速开关性能。此外，它还具有出色的热稳定性和电气性能，这使得它在功率电子设计中非常受欢迎。

参数

最大漏源电压：800V
　　连续漏极电流：1.1A
　　导通电阻（Rds(on)）：550Ω
　　栅极电荷：4nC
　　输入电容：280pF
　　总功耗：1.7W
　　工作温度范围：-55°C to +150°C

特性

F3NK80Z是一款专为高压应用设计的MOSFET，具有以下主要特性：
　　1. 高耐压能力：支持高达800V的漏源电压，适用于各种高压环境。
　　2. 超低导通电阻：在特定条件下，导通电阻仅为550Ω，显著降低了功率损耗。
　　3. 快速开关性能：由于其较小的栅极电荷，开关速度更快，适合高频应用。
　　4. 热稳定性：能够承受较宽的工作温度范围，确保在极端条件下的可靠运行。
　　5. 小巧封装：采用TO-263封装，便于安装和散热设计。
　　这些特性使F3NK80Z非常适合用于开关电源、逆变器、电机控制等领域。

应用

F3NK80Z适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：利用其高耐压和低导通电阻特性，提高电源效率。
　　2. DC-DC转换器：在降压或升压转换电路中充当高效的开关元件。
　　3. 逆变器：用于将直流电转换为交流电的设备中，如太阳能逆变器。
　　4. 电机驱动：控制电机的速度和方向，特别是在高压电机驱动系统中。
　　5. 电池保护电路：防止过充或过放，延长电池寿命。
　　由于其卓越的电气特性和可靠性，F3NK80Z成为了许多工程师在设计高压功率电路时的首选元件。