型号：F3704S
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：40V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：190A（在TC=25°C时）
　　脉冲漏极电流（IDM）：600A
　　最大功耗（PD）：200W（TC=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值2.3mΩ（@ VGS=10V, ID=100A）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 3.0V（@ ID=250μA）
　　输入电容（Ciss）：约8000pF（@ VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：约1200pF
　　反向恢复时间（trr）：约25ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：DPAK (TO-252)

F3704S采用安森美先进的Trench沟道工艺制造，这种结构能够在单位面积内实现更高的载流子密度，从而显著降低导通电阻RDS(on)，提高器件的电流处理能力。其典型的RDS(on)仅为2.3mΩ，在同类40V N沟道MOSFET中处于领先水平，这使得它在大电流应用场景下能够大幅减少传导损耗，提升系统效率。例如，在同步整流DC-DC变换器中，使用F3704S作为下管可以有效降低输出路径上的压降，减少发热，延长系统寿命。
　　该器件具备优异的开关特性，输入电容Ciss约为8000pF，输出电容Coss约为1200pF，反向恢复时间trr约为25ns，这些参数表明其具有较快的开关速度和较低的开关损耗，适合高频操作环境。同时，其栅极电荷Qg较低，有助于减少驱动电路的能量消耗，简化栅极驱动设计，尤其适用于需要高频率切换的电源拓扑如Buck、Boost或半桥电路。
　　F3704S的热性能也十分出色，采用DPAK封装，具有较大的焊盘接触面积，可通过PCB铜箔有效散热，确保长时间高负载运行下的稳定性。其最大功耗可达200W（在TC=25°C条件下），结温范围宽达-55°C至+175°C，适应严苛的工作环境。此外，器件内部集成有体二极管，具备一定的反向续流能力，可在某些拓扑中省去外部分立二极管，节省空间与成本。
　　安全性方面，F3704S具有过温保护和雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压或短路情况下保持一定鲁棒性，提升了系统的可靠性。其符合JEDEC标准的可靠性测试流程，并通过AEC-Q101认证（若适用版本），适用于汽车级应用。总体而言，F3704S是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，特别适合追求高效率、高功率密度的设计需求。

F3704S广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适用于需要高效能、大电流切换能力的场合。在DC-DC转换器中，它常被用作同步整流器的主开关管，特别是在多相Buck转换器中为CPU或GPU供电，其低RDS(on)可显著降低导通损耗，提升转换效率。在服务器电源和通信电源模块中，F3704S可用于初级侧或次级侧的功率开关，支持高频率工作以减小磁性元件体积，实现更高功率密度。
　　在电池管理系统（BMS）和电动工具领域，F3704S凭借其高达190A的连续电流能力和快速响应特性，可作为电池充放电控制开关，有效管理大电流流动，防止过流和短路风险。此外，在电机驱动电路中，无论是直流无刷电机还是步进电机，F3704S都能胜任H桥中的上下桥臂开关角色，提供稳定可靠的功率输出。
　　工业电源设备如UPS不间断电源、逆变器和工业照明驱动器也大量采用此类高性能MOSFET。F3704S还可用于笔记本电脑适配器、台式机主板VRM（电压调节模块）以及便携式储能设备等消费类电子产品中。得益于其DPAK封装易于散热和自动化生产的优势，该器件在批量制造中表现出良好的一致性和可制造性。此外，在汽车电子系统中，如车载充电机（OBC）或辅助电源单元，若选用符合AEC-Q101标准的版本，F3704S同样能发挥其高效率和高可靠性的优势。

NTD4906N-G
　　IRF1404ZPBF
　　IPB036N04LC G