UT70P02-TN3-R 时间：2025/12/27 7:55:34 阅读：17

UT70P02-TN3-R是一款由UTC（友顺科技）推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。该器件专为高效率电源管理应用设计，适用于便携式设备、电池管理系统、DC-DC转换器以及负载开关等场景。其封装形式为SOT-23，属于小型表面贴装封装，便于在空间受限的PCB布局中使用。UT70P02-TN3-R在关断状态下能够阻断负向电压，适合用于高端驱动配置中的开关元件。由于其优异的性能和紧凑的封装，该芯片广泛应用于消费类电子产品、工业控制模块以及通信设备中。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造的需求。产品通常以卷带包装形式供应，适用于自动化贴片生产线，提升了大规模生产的效率与一致性。

参数

型号：UT70P02-TN3-R
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：-20V
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-4.4A
　　脉冲漏极电流(IDM)：-12A
　　导通电阻(RDS(ON))：30mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(ON))：26mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压(Vth)：-0.4V ~ -1.0V
　　输入电容(Ciss)：400pF @ VDS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：SOT-23
　　安装方式：表面贴装

特性

UT70P02-TN3-R采用先进的沟槽式MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，这使得它在大电流应用中能有效降低功率损耗，提升系统整体能效。其RDS(ON)在VGS = -2.5V时仅为26mΩ，在同类P沟道器件中处于领先水平，特别适用于电池供电设备中对功耗极为敏感的应用场景。由于采用了优化的晶圆设计，该器件在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，确保长时间运行的可靠性。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围合理，典型值为-0.8V左右，能够在较低的控制电压下实现快速导通，兼容3.3V或5V逻辑电平驱动电路，无需额外的电平转换电路即可直接由微控制器或电源管理IC驱动。这一特性大大简化了外围电路设计，降低了系统复杂度和成本。
　　UT70P02-TN3-R具备优良的开关特性，输入电容仅为400pF，有助于减少开关过程中的动态损耗，提高高频工作的效率。同时，器件内部寄生参数经过优化，减少了米勒效应的影响，提升了抗噪声干扰能力，避免误触发导致的短路风险。
　　该器件还具备良好的热稳定性，结温最高可达150°C，结合SOT-23封装的小尺寸与良好散热设计，可在紧凑空间内实现高效散热。即使在恶劣的工作环境中，如高温或频繁启停条件下，依然能维持稳定性能。此外，产品通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）等，确保长期使用的安全性与耐用性。

应用

UT70P02-TN3-R广泛应用于各类需要高效、小型化P沟道MOSFET的场合。常见用途包括便携式电子设备中的电池保护电路，作为高端开关用于控制电池充放电路径，防止反向电流和过流损坏。在移动电源、蓝牙耳机、智能手表等产品中，该器件可作为负载开关，实现对不同功能模块的电源通断控制，从而延长待机时间。
　　在DC-DC转换器拓扑中，特别是同步整流Buck电路中，UT70P02-TN3-R可用于上管开关，替代传统的肖特基二极管，显著降低导通压降和能量损耗，提高转换效率。其快速开关能力也使其适用于PWM调光电路或电机驱动中的低边/高边开关控制。
　　此外，该器件还可用于热插拔电路、电源多路复用器以及电压反接保护电路中，凭借其低RDS(ON)和高可靠性，保障系统的安全运行。在工业传感器、IoT终端节点、无线充电接收端等对体积和功耗有严格要求的设备中，UT70P02-TN3-R是一个理想的功率开关解决方案。