F3704 时间：2025/12/26 21:02:50 阅读：11

F3704是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等高效率功率转换场合。该器件采用先进的TrenchFET技术，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能，能够在较小的封装尺寸下实现较高的电流处理能力，适用于对空间和能效要求较高的现代电子设备。F3704的设计注重在高频开关应用中的性能优化，能够有效降低传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。其高可靠性与坚固的结构设计使其适合在工业控制、消费类电子产品及便携式设备中长期稳定运行。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色制造的需求。

参数

型号：F3704
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：18A（在TC=25°C时）
　　脉冲漏极电流（Idm）：72A
　　导通电阻（Rds(on)）：5.3mΩ @ Vgs=10V, Id=9A
　　导通电阻（Rds(on)）：6.8mΩ @ Vgs=4.5V, Id=9A
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：1200pF @ Vds=15V
　　输出电容（Coss）：400pF @ Vds=15V
　　反向恢复时间（trr）：18ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DPAK（TO-252）

特性

F3704采用先进的TrenchFET沟道技术，通过优化沟道结构和掺杂分布，显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少了在大电流工作条件下的功率损耗。这种低Rds(on)特性对于提高电源系统的转换效率至关重要，尤其是在电池供电设备中，有助于延长续航时间。器件在Vgs=10V时Rds(on)仅为5.3mΩ，在Vgs=4.5V时也保持在6.8mΩ的较低水平，表明其在逻辑电平驱动条件下仍具备优异的导通性能，可直接由3.3V或5V微控制器驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。
　　该MOSFET具有出色的开关特性，输入电容和输出电容较小，配合快速的栅极充电和放电能力，使其在高频开关应用中表现出色。例如，在同步整流型DC-DC变换器中，F3704能够以最小的开关延迟实现高效能量传递，减少开关过程中的交越损耗。同时，其较短的反向恢复时间（trr=18ns）降低了体二极管在反向恢复期间的能量损耗，进一步提升了系统效率并减少了电磁干扰（EMI）。
　　F3704采用DPAK（TO-252）封装，具备良好的散热性能，可通过PCB上的铜箔或散热片将热量有效导出，确保器件在高负载条件下稳定运行。该封装还具有较强的机械强度和焊接可靠性，适合自动化贴片生产。此外，器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在高温工业环境或恶劣条件下可靠工作。内置的雪崩能量耐受能力和过温保护特性增强了其鲁棒性，使其在突发负载或短路情况下仍能保持一定耐受能力，提高了系统安全性。

应用

F3704广泛应用于各类中等功率的开关电源系统中，如AC-DC适配器、DC-DC降压/升压转换器以及POL（点负载）电源模块。其低导通电阻和高电流能力使其特别适用于同步整流拓扑中的下管或上管，显著降低整流损耗，提高转换效率。在电池管理系统（BMS）中，F3704可用于充放电控制开关，实现对电池组的高效通断管理。此外，在电机驱动电路中，该器件可作为H桥中的开关元件，用于控制直流电机或步进电机的正反转与调速，其快速开关响应能力有助于实现精确的PWM控制。
　　在消费类电子产品中，F3704常用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理单元，作为负载开关或电源路径控制器件，实现不同功能模块的独立供电与节能管理。在工业控制领域，它可用于PLC模块、传感器供电电路或继电器驱动电路，提供可靠的功率切换能力。由于其符合RoHS标准且支持无铅回流焊，F3704也适用于对环保和制造工艺要求严格的现代化生产线。此外，其紧凑的DPAK封装适合空间受限的应用场景，是替代传统较大封装MOSFET的理想选择。