F31MDP-06V-K 时间：2025/12/27 15:49:53 阅读：15

F31MDP-06V-K是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装功率MOSFET，采用先进的TrenchFET?技术制造。该器件专为高效率、高频开关应用设计，适用于负载开关、电机控制、DC-DC转换器以及其他需要低导通电阻和紧凑封装的电源管理场景。F31MDP-06V-K采用6V额定电压的P沟道MOSFET结构，具备极低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），有助于减少开关损耗并提升系统整体能效。其封装形式为双面散热的PowerPAK? SC-70（SOT-963），尺寸小巧，适合空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端设备等。该器件在制造过程中符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，适用于现代自动化贴片生产线。
　　作为一款P沟道MOSFET，F31MDP-06V-K在关断状态下通过栅源电压（VGS）控制导通与截止，具有无需额外电平移位电路即可实现高端开关控制的优势。其优化的晶圆工艺确保了良好的热稳定性和长期可靠性，能够在高温环境下保持稳定的电气性能。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护特性，增强了在复杂电磁环境中的鲁棒性。制造商Vishay为该系列产品提供了完整的技术支持文档，包括详细的数据手册、应用笔记和SPICE模型，便于工程师进行电路仿真与设计验证。

参数

型号：F31MDP-06V-K
　　通道类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-4.1A（@ TC=70°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ（@ VGS=-4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：55mΩ（@ VGS=-2.5V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.5V
　　输入电容（Ciss）：325pF（@ VDS=10V）
　　反向传输电容（Crss）：45pF（@ VDS=10V）
　　总栅极电荷（Qg）：6.5nC（@ VGS=-4.5V）
　　体二极管恢复时间（trr）：16ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerPAK SC-70（SOT-963）

特性

F31MDP-06V-K采用了Vishay成熟的TrenchFET?沟槽技术，这种先进的制造工艺显著降低了器件的导通电阻与寄生电容，从而在微型封装中实现了卓越的功率密度和开关性能。其低RDS(on)特性使得在大电流负载条件下仍能保持较低的导通损耗，有效减少发热，提高系统效率。该器件的总栅极电荷（Qg）仅为6.5nC，在同类P沟道MOSFET中处于领先水平，这意味着驱动电路所需的功耗更低，尤其适合由电池供电的应用场景。同时，其反向传输电容（Crss）低至45pF，极大地抑制了高频开关过程中的噪声耦合，提升了系统的EMI兼容性。
　　该MOSFET的封装采用PowerPAK? SC-70设计，具有双面散热能力，能够通过PCB焊盘和顶部金属散热片同时进行热传导，显著改善热阻性能。这种结构特别适用于高密度布局的电路板设计，即使在有限的空间内也能实现良好的热管理。此外，SOT-963封装尺寸仅为2mm x 1.25mm x 0.6mm，极大节省了PCB面积，满足现代消费电子对小型化和轻薄化的严格要求。
　　F31MDP-06V-K还具备优异的动态性能，在快速开关切换中表现出较小的延迟时间和上升/下降时间，适合用于同步整流、负载开关和热插拔控制等对响应速度要求较高的场合。其体二极管具有较短的反向恢复时间（trr=16ns），减少了反向恢复电荷（Qrr），避免了因二极管反向恢复引起的电压尖峰和能量损耗，进一步提升了系统可靠性。该器件在-55°C至+150°C的宽温度范围内均能稳定工作，适用于工业级和汽车级应用场景。Vishay对该产品实施严格的品质管控，确保每批次产品具有一致的电气特性和长期可靠性。

应用

F31MDP-06V-K广泛应用于各类便携式电子设备中的电源管理模块，特别是在需要高效能、小尺寸解决方案的设计中表现突出。典型应用包括智能手机和平板电脑中的电池保护电路、USB接口过流保护、显示屏背光电源开关以及主处理器的电源域控制。由于其P沟道特性，常被用作高端开关来控制正电压的通断，无需复杂的驱动电路即可实现简洁高效的控制逻辑。在DC-DC降压或升压转换器中，该器件可用于同步整流或作为辅助开关元件，帮助提升转换效率并降低待机功耗。
　　在工业控制系统中，F31MDP-06V-K可用于传感器模块、PLC输入输出接口和小型继电器驱动电路中，提供可靠的信号隔离与负载控制功能。其高抗干扰能力和稳定的电气特性使其能在恶劣电磁环境中长期运行。此外，在医疗电子设备、智能家居控制器和物联网节点中，该器件也因其低静态功耗和高集成度而受到青睐。
　　在电池管理系统（BMS）中，F31MDP-06V-K可用于充放电通路的MOSFET阵列，配合保护IC实现过压、过流和短路保护。其低导通电阻有助于延长电池续航时间，而快速响应能力则保障了系统安全。在热插拔控制器设计中，该MOSFET可作为主电源开关，平稳地控制上电斜率，防止浪涌电流损坏后级电路。总体而言，F31MDP-06V-K凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，已成为众多低电压、高效率电源应用的理想选择。