F2602E-01-TR 时间：2025/8/21 2:48:16 阅读：5

F2602E-01-TR是一款由FAIRCHILD（飞兆半导体，现为ON Semiconductor的一部分）生产的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高效率电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及同步整流器等。F2602E-01-TR采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于高频开关应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：4.5A
　　导通电阻（RDS(on)）：35mΩ（典型值，VGS=4.5V）
　　功率耗散（PD）：2W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

F2602E-01-TR具有多项优异的电气和物理特性，适用于多种电源管理应用。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在VGS=4.5V时，典型值为35mΩ，使得该MOSFET在低电压、中等电流应用中表现出色。
　　其次，该器件支持高达4.5A的连续漏极电流，适合中功率开关应用。同时，其最大漏源电压为20V，栅源电压容限为±12V，提供了良好的电压耐受能力，适合在多种电源拓扑中使用。
　　此外，F2602E-01-TR采用SOT-23小型封装，便于在空间受限的PCB设计中使用，同时具备良好的热性能，适合表面贴装工艺，提高了制造效率。
　　该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于工业级和汽车电子应用，具备较强的环境适应性。
　　由于其栅极电荷较低，F2602E-01-TR在高频开关应用中表现良好，可有效减少开关损耗，提升整体系统性能。

应用

F2602E-01-TR广泛应用于多种电源管理和开关电路中。
　　首先，它适用于便携式设备中的电源管理单元，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等，作为负载开关或DC-DC转换器中的开关元件，提高能效并延长电池续航时间。
　　其次，在DC-DC转换器中，该MOSFET可用作同步整流器，替代传统的肖特基二极管，以降低导通压降和功率损耗，提高转换效率。
　　此外，F2602E-01-TR也适用于电池管理系统，作为电池充放电控制开关，确保系统的安全性和稳定性。
　　在工业自动化和通信设备中，该器件可用于构建高效率的电源模块、电压调节器以及电机驱动电路。
　　由于其小型封装和良好的电气性能，F2602E-01-TR也适合用于LED驱动、传感器控制、电源适配器、智能电表等多种应用场景。