F21NM50N 时间：2025/7/22 8:30:46 阅读：6

F21NM50N 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率开关应用。该器件采用先进的高压技术制造，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性。其典型应用包括电源转换器、DC-DC变换器、电机控制和各种工业自动化设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：21A
　　漏源击穿电压（VDS）：500V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3V @ 250μA
　　导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω @ VGS=10V
　　最大功耗（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

F21NM50N具有多项优异的电气和热性能，确保其在高功率应用中的可靠性和效率。首先，其低导通电阻（RDS(on)）减少了导通损耗，提高了系统效率，特别适用于高频率开关应用。其次，该MOSFET具备较高的耐压能力（500V），能够承受较高的电压应力，适用于多种高压电源管理场景。
　　此外，F21NM50N采用了先进的高压技术，优化了器件的热管理和稳定性，使其在高负载条件下仍能保持良好的性能。其TO-220封装形式具有良好的散热性能，适用于多种工业级应用环境。
　　该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，提升系统的鲁棒性。此外，其栅极驱动电压范围较宽，通常可在10V至15V之间工作，适应多种驱动电路设计需求。

应用

F21NM50N广泛应用于各种电力电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。例如，在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可用于主开关或同步整流电路，提高电源效率并减少发热。在电机控制和变频器中，F21NM50N可用于驱动直流电机或交流感应电机，实现精确的速度和扭矩控制。
　　此外，该器件还可用于电池充电器、太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统和工业自动化设备中的功率开关电路。由于其具备良好的抗冲击和抗干扰能力，也适用于需要频繁开关和高电压应力的场合。