类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：16A（@25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 7.5mΩ（@Vgs=10V）
　　功率耗散（Ptot）：80W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-220、D2PAK（表面贴装）

F210U 具备多项高性能特性，适用于广泛的应用场景。其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力（100V）使其适用于中高电压系统，如汽车电子、工业电源和电机驱动系统。
　　此外，F210U 提供了良好的热管理性能，能够在高温环境下稳定运行，具备较高的可靠性和耐用性。该器件的封装形式包括 TO-220 和 D2PAK，前者适合通孔安装，后者则适用于表面贴装工艺，便于在现代 PCB 设计中使用。
　　F210U 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许设计者灵活选择驱动电路，同时具备较强的抗干扰能力。其快速开关特性有助于降低开关损耗，适用于高频开关电源设计。
　　综上所述，F210U 凭借其低导通电阻、高耐压、优异的热性能和灵活的封装选择，成为电源管理、工业控制和汽车电子等领域的理想功率 MOSFET 器件。

F210U 主要应用于各类高效率电源管理系统中，例如同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电机控制器、电池充电器以及汽车电子系统中的功率控制模块。由于其优异的导通和开关性能，该器件也常用于工业自动化设备、智能电表、UPS（不间断电源）以及 LED 照明驱动电路等应用中。

STP16NF10, IRF1010E, FDP160N10A