F1P10TP 时间：2025/12/26 11:08:16 阅读：18

F1P10TP是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等电力电子领域。该器件采用先进的平面技术制造，具备低导通电阻和高开关速度的特点，使其在高效能电源管理应用中表现出色。F1P10TP的封装形式为TO-252（D-Pak），这种表面贴装封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，适合在紧凑型电子产品中使用。作为一款100V耐压的MOSFET，F1P10TP能够在较高的电压环境下稳定工作，同时保持较低的导通损耗，是工业控制、消费电子和通信设备中的理想选择之一。其设计注重可靠性和热稳定性，在长时间运行条件下仍能维持优异的电气性能。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：100 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：10 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：40 A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.11 Ω @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.13 Ω @ Vgs=4.5V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：600 pF @ Vds=50V
　　输出电容（Coss）：170 pF @ Vds=50V
　　反向恢复时间（trr）：38 ns
　　最大功耗（Pd）：94 W
　　工作结温范围：-55 ~ +150 ℃
　　封装：TO-252 (D-Pak)

特性

F1P10TP具备多项关键特性，使其在功率MOSFET市场中具有显著优势。首先，其低导通电阻（Rds(on)）特性极大地降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为0.11Ω，即便在Vgs=4.5V的较低驱动电压下也能保持0.13Ω的低阻值，这使得它兼容多种逻辑电平驱动电路，包括由微控制器直接驱动的应用场景。该特性对于电池供电设备或需要节能设计的系统尤为重要，有助于延长续航时间并减少散热需求。
　　其次，F1P10TP采用了先进的平面工艺技术，优化了载流子迁移路径，提升了器件的电流处理能力和热稳定性。其最大连续漏极电流可达10A，脉冲电流更高达40A，能够应对瞬态负载变化和高峰值功率需求，适用于电机启动、电源浪涌等动态工况。同时，该器件具有较高的输入阻抗和快速的开关响应能力，输入电容Ciss仅为600pF，减少了栅极驱动电路的能量消耗，并加快了开关速度，从而降低开关损耗，提升高频工作的效率。
　　再者，F1P10TP具备良好的热性能和可靠性。TO-252封装不仅便于自动化贴装，还能通过PCB铜箔有效散热，实现良好的热管理。其最大功耗可达94W，结温范围宽达-55°C至+150°C，可在恶劣环境温度下稳定运行。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=38ns），有助于减少在感性负载切换时产生的电压尖峰和电磁干扰，提高系统的EMI性能。此外，该器件通过了严格的可靠性测试，具备高抗雪崩能力和抗静电能力，增强了在实际应用中的鲁棒性。

应用

F1P10TP广泛应用于多种电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、DC-DC降压/升压转换器，其中其低Rds(on)和高效率特性可显著提升电源转换效率。在电机驱动领域，该器件可用于小型直流电机、步进电机或风扇控制电路，能够承受频繁启停和反向电动势冲击。此外，它也适用于LED驱动电源、太阳能逆变器、UPS不间断电源以及工业自动化控制系统中的功率开关模块。由于其封装紧凑且支持表面贴装，F1P10TP非常适合用于空间受限但对功率密度要求较高的消费类电子产品，例如笔记本电脑电源板、打印机电源单元和网络通信设备的电源管理部分。在汽车电子辅助系统中，如车载充电器或车灯控制模块，该器件也能发挥稳定可靠的性能。总之，凡需要高效、高可靠性的100V N沟道MOSFET的场合，F1P10TP都是一个极具竞争力的选择。