时间：2025/6/25 23:34:04
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EZAEG1N50AC 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，属于东芝公司的 GaN 晶体管系列产品。该器件采用常关型 (Enhancement Mode) 设计，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及其他需要高效率和快速开关的应用场景。相比传统的硅基 MOSFET，EZAEG1N50AC 提供了更低的导通电阻和更高的开关速度，从而显著提高了系统的整体效率。
该晶体管采用了 TO-247 封装形式，便于散热和集成到现有设计中。其耐压为 650V，非常适合在工业和消费电子领域中使用。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：50A
导通电阻：4.3mΩ
栅极电荷：90nC
输入电容：1800pF
反向恢复时间：10ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
EZAEG1N50AC 的主要特性包括：
1. 高击穿电压：650V 的额定值使其能够承受较高的电压，适用于各种高压应用场景。
2. 低导通电阻：仅为 4.3mΩ 的导通电阻降低了导通损耗，提升了效率。
3. 快速开关性能：由于其极低的栅极电荷和反向恢复时间，该器件能够在高频条件下保持高效率。
4. 增强模式设计：作为常关型晶体管，它在安全性和可靠性方面表现优异。
5. 高温稳定性：其最高结温可达 +150℃，适应苛刻的工作环境。
6. 低寄生电感：TO-247 封装优化了电气性能，进一步提升了开关效率。
EZAEG1N50AC 广泛应用于以下领域：
1. 高效开关电源 (SMPS)
2. 工业 DC-DC 转换器
3. 电机驱动器
4. 光伏逆变器
5. 电动汽车充电设备
6. 不间断电源 (UPS) 系统
由于其出色的高频性能和低损耗特性，EZAEG1N50AC 成为现代电力电子设计的理想选择。
EZXH2N50C, EZAEG1N50BC
