时间：2025/9/2 9:51:09
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FR9702是一款由富鼎（APEC）生产的双N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽式技术，适用于高效能电源管理和功率转换应用。该器件集成两个独立的MOSFET芯片在单一封装中，节省空间并提高系统集成度。FR9702广泛应用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理系统等领域。
类型：双N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：20V
栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：6A（单通道）
导通电阻(RDS(on))：18mΩ（典型值，VGS=4.5V）
封装类型：DFN3x3
工作温度范围：-55°C至150°C
FR9702具有低导通电阻，显著降低导通损耗，提高系统效率；其双通道设计使得在同步整流或H桥应用中更加方便，减少PCB布局复杂度。该器件采用高热效率的DFN3x3封装，有助于在高电流条件下保持较低的工作温度，提升稳定性和可靠性。
此外，FR9702具备良好的栅极电荷特性，有助于降低开关损耗，适用于高频开关电源应用。其栅极驱动电压范围宽，兼容标准逻辑电平驱动，便于与控制器或驱动IC配合使用。该器件还具有高雪崩能量耐受能力，增强了在严苛工作环境下的耐用性，适用于工业自动化、通信电源、消费类电子产品及汽车电子等多种应用场景。
FR9702主要应用于同步整流电路、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电源管理模块、电机控制电路、电池充电管理以及高性能电源适配器等。其小尺寸和高性能特性也使其适用于对空间要求严格的便携式设备和嵌入式系统。
Si3442CDV-T1-GE3, FDMS3610S, AO4406A, TPS2R200
