EZ1580CMTR 时间：2025/8/5 4:47:53 阅读：22

EZ1580CMTR 是一款由 Efficient Power Conversion（EPC）公司制造的高效功率MOSFET，属于氮化镓（GaN）晶体管系列。该器件采用先进的GaN技术，提供比传统硅基MOSFET更高的开关速度、更高的效率和更小的尺寸，适用于各种高功率密度应用，如电源转换器、DC-DC转换器、电机驱动器和电源管理系统。EZ1580CMTR 采用100V耐压设计，能够承受较高的工作电压，同时保持较低的导通电阻和开关损耗。

参数

类型：GaN功率MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大连续漏极电流（ID）：35A
　　导通电阻（RDS(on)）：6.8mΩ
　　封装类型：Chip-scale（晶圆级封装）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　栅极电荷（QG）：8.7nC
　　输入电容（Ciss）：1150pF
　　输出电容（Coss）：220pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0C
　　功耗（PD）：4.2W

特性

EZ1580CMTR 的核心优势在于其基于氮化镓（GaN）的半导体技术，使器件具有超低的导通电阻和极快的开关速度。这种材料特性允许该MOSFET在高频下工作，从而减少磁性元件的尺寸并提高整体系统效率。此外，该器件没有传统硅MOSFET中存在的体二极管，因此反向恢复电荷（Qrr）为零，显著降低了开关损耗。
　　在封装方面，EZ1580CMTR采用先进的晶圆级芯片封装（Chip-scale Package，CSP），不仅减小了PCB占用空间，还减少了寄生电感，从而进一步提高高频性能。该封装方式也有助于改善热管理，使器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　该MOSFET具有宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），适用于工业和汽车等严苛环境。此外，其低栅极电荷（QG）和快速开关特性使其非常适合用于高频DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器以及高效电源适配器等应用。

应用

EZ1580CMTR 主要应用于需要高效率和高功率密度的场合。典型应用包括高频DC-DC转换器、同步整流器、服务器电源、电信电源系统、电机控制、电池管理系统（BMS）、车载充电器（OBC）和无线充电系统。此外，该器件也非常适合用于需要快速开关和低损耗的工业自动化设备、LED照明驱动器以及消费类高功率电子产品。