晶体管类型：SiGe HBT
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：2.7 V
　　最大集电极电流（Ic）：50 mA
　　最大功耗（Ptot）：200 mW
　　过渡频率（fT）：约50 GHz
　　最大振荡频率（fMAX）：约70 GHz
　　噪声系数（NF）：0.65 dB @ 2 GHz
　　增益（S21）：15 dB @ 2 GHz
　　封装类型：SOT-343（表面贴装）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

MGF7122-01的核心优势在于其优异的高频性能和低噪声特性，使其在GHz级别的无线通信系统中表现卓越。该晶体管采用SiGe技术，结合了硅的高集成度与锗的高频性能，具备出色的线性度和温度稳定性。其高fT和fMAX参数支持其在高达70 GHz的应用中使用，适用于宽带通信和毫米波频段的设计。
　　此外，MGF7122-01在低电压（典型工作电压为2.7 V）下运行，功耗较低，适用于高效率、低功耗的射频前端设计。该器件的噪声系数低于1 dB，特别适合用于低噪声放大器（LNA），在接收链中提高信号的信噪比。
　　该晶体管的S参数和噪声参数在宽频率范围内表现稳定，便于射频工程师进行阻抗匹配设计。其SOT-343封装形式不仅体积小巧，还具有良好的热管理和高频响应特性，适合高密度PCB布局。

MGF7122-01广泛应用于无线基站、卫星通信设备、毫米波雷达、无线局域网（WLAN）和点对点微波通信系统等高频通信设备中。它常被用于设计低噪声放大器（LNA）、射频功率放大器（PA）、混频器（Mixer）以及本地振荡器（LO）电路中。由于其优异的线性度和高频性能，也适用于测试测量仪器、频谱分析仪和信号发生器等高精度射频测试设备。

HMC414, BFP420, ATF-54143, BGA7222, MGF1801