EWIXP425BDT 时间：2025/10/29 13:39:47 阅读：19

EWIXP425BDT是一款由Eaton（伊顿）公司生产的瞬态电压抑制二极管（TVS Diode）阵列，专为保护敏感电子电路免受瞬态电压事件（如静电放电ESD、电快速瞬变脉冲群EFT以及雷击感应浪涌）的影响而设计。该器件采用紧凑型表面贴装封装，适用于高密度PCB布局，广泛应用于工业控制、通信接口、消费类电子产品和汽车电子等领域。EWIXP425BDT集成了多个TVS二极管单元，能够同时对多条信号线提供高效的过压保护。其低电容特性确保了在高速数据线路中不会引入明显的信号失真或衰减，从而保证系统的信号完整性。
　　该器件的工作原理基于雪崩击穿机制，当线路电压超过其击穿电压时，TVS二极管迅速导通并将瞬态能量泄放到地，从而将被保护线路的电压钳制在一个安全范围内。EWIXP425BDT具备快速响应时间（通常小于1纳秒），能够在瞬态事件发生的瞬间立即动作，有效防止下游集成电路受到损坏。此外，它还具有较高的峰值脉冲功率承受能力，适合在恶劣电磁环境中长期稳定运行。

参数

类型：瞬态电压抑制二极管阵列
　　极性：双向
　　通道数：4
　　工作电压（VRWM）：25V
　　击穿电压（VBR）：27.8V @ 1mA
　　最大钳位电压（VC）：42.2V @ 10A
　　峰值脉冲电流（IPP）：10A
　　电容值（C）：60pF @ 0V, 1MHz
　　封装形式：SOT-23-6
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　功率等级（PPPM）：400W
　　极性配置：4通道双向
　　ESD耐受能力：±30kV（接触放电）

特性

EWIXP425BDT具备优异的电气保护性能和可靠性，特别适用于需要多线保护的应用场景。其双向极性设计使其能够应对正负两个方向的瞬态电压冲击，无需考虑信号极性，极大简化了电路设计与布局过程。器件内部采用先进的硅结制造工艺，确保了一致且稳定的击穿电压特性，在多次浪涌冲击后仍能保持良好的保护性能。由于其低动态电阻特性，EWIXP425BDT在导通状态下可实现极低的钳位电压，有效减少对被保护设备的应力影响，提升系统整体安全性。
　　该TVS阵列具有非常低的结电容（典型值60pF），非常适合用于高速通信接口，如USB、RS-485、CAN总线、I2C、SPI等，不会因寄生电容造成信号上升/下降时间延迟或高频衰减。同时，器件的快速响应时间（<1ns）确保在静电放电事件发生时能立即启动保护机制，避免敏感CMOS器件因电压过冲而发生闩锁效应或永久性损伤。此外，其小型SOT-23-6封装不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴片生产，有助于降低制造成本并提高组装效率。
　　EWIXP425BDT符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101车规级认证，表明其具备在严苛环境条件下可靠工作的能力，可用于汽车电子系统中的传感器接口、车载信息娱乐系统及车身控制模块等关键部位。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）也使其能在极端高低温环境下保持稳定的保护功能。整体而言，该器件结合高性能、小尺寸和高可靠性，是现代电子系统中理想的瞬态电压防护解决方案之一。