S3460 时间：2025/7/25 12:36:23 阅读：13

S3460 是一款由 Sanken（三研）公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件设计用于高效能、高可靠性的电力电子系统，如 DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统等。S3460 以其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性而闻名，适用于中高功率应用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：100A（在 Tc=25℃）
　　最大功耗（Pd）：200W
　　导通电阻（Rds(on)）：≤5.6mΩ（在 Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装类型：TO-247

特性

S3460 功率 MOSFET 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流条件下，器件的导通损耗显著降低，从而提高了系统的整体效率。其最大导通电阻仅为 5.6mΩ，确保了在高负载条件下的低电压降和较小的功率损耗。
　　此外，S3460 采用 TO-247 封装，具备良好的热性能和机械稳定性，适用于高功率密度设计。该封装形式提供了较大的散热面积，有助于在高电流应用中有效散热，从而延长器件的使用寿命并提高可靠性。
　　该 MOSFET 支持高达 100A 的连续漏极电流，并且具备良好的热稳定性，适合在高温环境下运行。其栅源电压范围为 ±20V，适用于多种驱动电路配置，包括常见的 PWM 控制器。此外，S3460 的快速开关特性使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗并提高了系统的响应速度。
　　安全性和可靠性方面，S3460 设计有内置的雪崩能量保护功能，能够承受一定的过压和过流冲击，从而提高系统的鲁棒性。同时，该器件的封装材料符合 RoHS 标准，符合现代电子产品的环保要求。

应用

S3460 常见于各类高功率电子系统中，特别是在需要高效能、低导通损耗的场合。典型应用包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池充电器、UPS（不间断电源）系统、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统。
　　在开关电源中，S3460 作为主开关器件，负责将输入的直流电压转换为高频脉冲，以供变压器或电感进行电压变换。其低导通电阻和快速开关特性可显著提高转换效率，并减少发热。
　　在电机驱动系统中，S3460 常用于 H 桥拓扑结构中，实现对直流电机或步进电机的双向控制。由于其高电流承载能力和良好的热性能，S3460 能够在高负载条件下稳定运行，确保电机的平稳运行和高效控制。
　　此外，在新能源应用如太阳能逆变器和储能系统中，S3460 用于功率变换环节，将直流电转换为交流电并网使用。其高可靠性和抗冲击能力使其成为恶劣环境下的理想选择。