EVQPOE07K 时间：2025/5/7 18:15:49 阅读：8

EVQPOE07K 是一款基于硅工艺制造的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用领域。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，能够在高效率和高性能的应用中提供卓越表现。
　　其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，具体取决于制造商的设计规范。EVQPOE07K 的设计目标是优化系统性能并减少能量损耗，因此它在功率转换电路中非常受欢迎。

参数

型号：EVQPOE07K
　　类型：N沟道 MOSFET
　　漏源极击穿电压(Vdss)：700V
　　栅源极电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：7A
　　导通电阻(Rds(on))：1.2Ω
　　总功耗(Ptot)：185W
　　工作温度范围(Tj)：-55℃ 至 +150℃

特性

EVQPOE07K 具有以下主要特性：
　　1. 高耐压能力，支持高达 700V 的漏源极击穿电压，适合多种高压应用场景。
　　2. 低导通电阻 (Rds(on))，仅为 1.2Ω，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
　　3. 快速开关性能，能够有效减少开关损耗。
　　4. 极高的可靠性，即使在恶劣环境下也能保持稳定运行。
　　5. 支持表面贴装或插件封装，便于 PCB 设计与制造。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。

应用

EVQPOE07K 广泛应用于以下场景：
　　1. 开关模式电源 (SMPS)，如 AC-DC 转换器和适配器。
　　2. DC-DC 转换器，用于工业控制及通信设备中的电压调节。
　　3. 电机驱动电路，包括家用电器和工业自动化设备中的无刷直流电机驱动。
　　4. PFC（功率因数校正）电路，提升电力系统的整体效率。
　　5. 各类保护电路，例如过流保护和短路保护。
　　6. 充电器解决方案，如电动车充电器和便携式电子设备充电器。