您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > NAND04GW3B2BN6E

NAND04GW3B2BN6E 发布时间 时间:2023/4/13 11:18:16 查看 阅读:723

NAND04GW3B2BN6E技术参数

目录

概述

制造商:STMicroelectronics

产品种类:闪存

数据总线宽度:8 bit

存储类型:NAND Flash

存储容量:4 Gbit

结构:Sectored

封装 / 箱体:TSOP

定时类型:Asynchronous

接口类型:Parallel

访问时间:25000 ns

电源电压(最大值):3.6 V

电源电压(最小值):2.7 V

最大工作电流:30 mA

最大工作温度:+ 85℃

最小工作温度:- 40℃

封装:Tray

组织:128K B x 4096

资料

厂商
STMICROELECTRONICS

NAND04GW3B2BN6E推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

NAND04GW3B2BN6E资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

NAND04GW3B2BN6E参数

  • 制造商STMicroelectronics
  • 产品种类闪存
  • 数据总线宽度8 bit
  • 存储类型NAND Flash
  • 存储容量4 Gbit
  • 结构Sectored
  • 接口类型Parallel
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min2.7 V
  • 最大工作电流30 mA
  • 工作温度+ 85 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TSOP
  • 封装Tray
  • 组织128 KB x 4096
  • 工厂包装数量96