NAND04GW3B2BN6E技术参数
制造商:STMicroelectronics
产品种类:闪存
数据总线宽度:8 bit
存储类型:NAND Flash
存储容量:4 Gbit
结构:Sectored
封装 / 箱体:TSOP
定时类型:Asynchronous
接口类型:Parallel
访问时间:25000 ns
电源电压(最大值):3.6 V
电源电压(最小值):2.7 V
最大工作电流:30 mA
最大工作温度:+ 85℃
最小工作温度:- 40℃
封装:Tray
组织:128K B x 4096
厂商 |
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STMICROELECTRONICS |