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EVM3YSX50BE3 发布时间 时间:2025/4/30 14:52:05 查看 阅读:13

EVM3YSX50BE3 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等应用。该芯片采用了先进的制造工艺,能够提供低导通电阻和快速开关性能,从而显著提高效率并降低功耗。
  其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK,便于散热管理,并且具有较高的电流处理能力,适合工业及消费类电子产品的设计需求。

参数

最大漏源电压:50V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关速度:超快
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

EVM3YSX50BE3 的主要特点是低导通电阻和高效率,在高频开关应用中表现出色。此外,该器件还具备以下特性:
  1. 极低的导通电阻,减少传导损耗。
  2. 快速开关特性,有助于降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强系统的鲁棒性。
  4. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  5. 适用于多种拓扑结构,如降压、升压和反激式转换器。
  6. 内置静电保护功能,提升可靠性。

应用

该芯片广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)。
  2. 电动工具的电机驱动电路。
  3. 汽车电子系统中的负载切换。
  4. 工业自动化设备中的 DC-DC 转换。
  5. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
  6. 笔记本电脑适配器和其他消费类电子产品中的高效电源解决方案。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5800
  STP30NF10
  AO3400

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