EVM3GSX50B14是一款基于增强型绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术的功率模块,主要用于中高功率技术和封装工艺,具有低导通损耗和开关损耗的特点,适合于逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动等领域。
此模块集成了优化的热设计,能够有效提升散热性能,并提供更高的可靠性和效率。同时,它支持高频开关操作,进一步缩小了系统尺寸并降低了成本。
额定电压:1200V
额定电流:50A
最大工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
开关频率:最高可达20kHz
总功耗:≤5W
输入电容:约1500pF
反向恢复时间:25ns
热阻(结到壳):≤0.2K/W
EVM3GSX50B14具有以下显著特性:
1. 高效的低损耗设计,结合优化的IGBT芯片与快速恢复二极管,可实现更小的开关损耗和导通损耗。
2. 内置过温保护功能,当模块检测到异常高温时会自动关闭输出以防止损坏。
3. 良好的抗电磁干扰能力,确保在复杂环境下的稳定运行。
4. 紧凑型封装结构,便于安装和维护,同时减少寄生电感影响。
5. 支持多种驱动电路配置,灵活适配不同应用场景的需求。
该模块广泛应用于各种电力电子设备中,例如太阳能光伏逆变器、风能变流器、电动汽车充电站、工业自动化控制中的伺服驱动器以及家用电器领域的空调压缩机驱动等场景。其卓越的性能使其成为需要高效能量转换和精确控制场合的理想选择。
EVM3GSX50B16, EVM3GSX60B14