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EVM2NSX80B13 发布时间 时间:2025/4/29 12:22:11 查看 阅读:4

EVM2NSX80B13是一款专门用于驱动氮化镓(GaN)功率晶体管的评估模块。该模块集成了驱动器电路和必要的保护功能,旨在帮助工程师快速评估和设计基于GaN器件的高效电源转换系统。此评估模块支持高频开关操作,并具有低开关损耗的特点,适用于AC-DC、DC-DC转换器以及电机驱动等应用。
  通过使用EVM2NSX80B13,用户可以轻松测试GaN晶体管在不同负载条件下的性能表现,同时验证其在高频工作环境中的稳定性。

参数

型号:EVM2NSX80B13
  输入电压范围:4.5V - 20V
  输出电流:峰值可达3A
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
  GaN晶体管兼容性:支持NSX80B13或同类GaN HEMT
  封装形式:评估板模块
  尺寸:50mm x 30mm

特性

EVM2NSX80B13的主要特性包括高效的GaN驱动能力,能够显著降低开关损耗并提高整体效率。它内置了短路保护和过温保护功能,确保在异常情况下不会损坏核心器件。
  此外,该模块支持高达几兆赫兹的开关频率,非常适合高频应用场景。其紧凑的设计也便于集成到各种电力电子设备中,例如无线充电器、适配器和工业电源。模块还提供灵活的控制接口,方便与微控制器或其他信号源连接,从而实现精确的时序控制和动态调整。
  对于研发人员来说,这款评估模块不仅简化了GaN技术的采用过程,还能加速产品上市时间。

应用

EVM2NSX80B13广泛应用于高效率电源转换领域,包括但不限于以下场景:
  1. USB PD快充适配器:利用GaN的高频特性,减少磁性元件体积,实现小型化设计。
  2. 数据中心电源:为服务器提供更高效率的电源解决方案,降低运营成本。
  3. 电动工具电池充电器:提升充电速度的同时保持散热良好。
  4. 汽车电子:用于车载逆变器或DC-DC转换器,满足现代汽车对能效的需求。
  5. 工业自动化设备:如伺服驱动器和机器人控制系统,需要高可靠性和快速响应的电源部分。

替代型号

EVM2NS06B12A

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EVM2NSX80B13参数

  • 安装类型表面贴装
  • 容差±25%
  • 尺寸2.2 x 2.81 x 0.81mm
  • 接端样式焊垫
  • 最低工作温度-40°C
  • 最大电阻值1kΩ
  • 最高工作温度+100°C
  • 深度2.81mm
  • 温度系数±250ppm/°C
  • 转数1
  • 长度2.2mm
  • 额定功率0.15W
  • 高度0.81mm