参数类型：数字驱动器
　　工作电压范围：4.5V 至 20V
　　输出驱动电流（峰值）：1.5A（典型值）
　　传播延迟时间：15ns（典型值）
　　上升/下降时间：1.2ns（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：8引脚DFN
　　驱动类型：半桥驱动器
　　适用功率器件：eGaN FET

EVDI414 驱动器具有多项先进特性，能够显著提升功率转换系统的性能。首先，它支持高达 20V 的工作电压，使其适用于多种高电压应用。其次，该驱动器提供高达 1.5A 的峰值输出电流，能够有效驱动低导通电阻的 eGaN FET，从而减少开关损耗。
　　其传播延迟时间仅为 15ns，上升和下降时间约为 1.2ns，这使得 EVDI414 在高频应用中表现出色，能够实现快速开关操作，提高系统效率并减小功率变换器的体积。此外，芯片内置的欠压锁定（UVLO）功能确保在电源电压不足时关闭输出，从而保护功率器件免受损坏。
　　EVDI414 采用 8 引脚 DFN 封装，具有优异的热性能和空间利用率，适合在高密度电源设计中使用。其宽工作温度范围（-40°C 至 +125°C）使其适用于工业级和汽车级应用环境。
　　该驱动器还具备高抗噪能力，采用双通道设计，支持半桥拓扑结构，适用于同步整流、谐振变换器和多相 DC-DC 转换器等复杂电路。EVDI414 的设计目标是简化 eGaN FET 的驱动需求，同时提升整体系统的稳定性和可靠性。

EVDI414 主要用于驱动 eGaN FET 功率晶体管，广泛应用于高频率、高效率的电力电子系统中。典型应用包括高频 DC-DC 转换器、AC-DC 电源、电机驱动、太阳能逆变器、服务器电源、电信电源以及车载充电系统等。
　　在数据中心和服务器电源中，EVDI414 可用于构建高效率、小体积的同步整流电路和多相降压转换器，满足高功率密度的需求。在电动车和工业电机控制系统中，它可以用于驱动高频逆变器，提高能效和响应速度。此外，在无线充电和感应加热等应用中，EVDI414 也能提供稳定的驱动能力，支持高频开关操作。
　　由于其高集成度和高性能，EVDI414 也被广泛应用于研发和原型设计中，帮助工程师快速构建高效 GaN 功率系统。

EPC2035、EPC2021、LM5113、IRS2001