类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　封装类型：TO-92

EVDD414晶体管具有多个关键特性，使其在高频和低噪声应用中表现出色。
　　首先，EVDD414的增益带宽积（fT）高达100MHz，使其适用于高频放大器和射频电路。这一特性确保晶体管在较高频率下仍能维持良好的增益性能。
　　其次，EVDD414的电流增益（hFE）范围较宽，通常在110至800之间，具体取决于其等级分类。这使得该晶体管能够灵活适应不同的电路设计需求。
　　此外，EVDD414的低噪声系数使其非常适合用于低噪声放大器（LNA）的设计。在射频接收器和无线通信系统中，信号的低噪声放大至关重要，EVDD414能够在这些应用中提供出色的性能。
　　最后，EVDD414采用TO-92封装，体积小巧且易于安装，适用于各种紧凑型电子设备和高频电路设计。

EVDD414晶体管主要应用于以下领域：
　　1. 高频放大器：由于其100MHz的增益带宽积，EVDD414非常适合用于射频和中间频率放大器的设计。这使其成为无线通信系统、广播接收器和测试设备中的理想选择。
　　2. 低噪声放大器（LNA）：EVDD414的低噪声特性使其成为低噪声放大器的关键元件，尤其适用于需要高灵敏度的信号接收系统，如Wi-Fi模块、蓝牙设备和射频识别（RFID）系统。
　　3. 开关电路：EVDD414的快速开关特性使其可用于数字电路和脉冲电路中的高速开关应用，例如逻辑门电路、驱动器和缓冲器。
　　4. 振荡器和混频器：该晶体管的高频性能使其适用于振荡器和混频器电路的设计，广泛用于通信设备和信号处理系统中。
　　5. 教育和实验用途：由于其广泛的应用和易于获取的参数信息，EVDD414常用于电子工程教学和实验项目中。

2N3904, BC547, 2N4401