EV1298 时间：2025/8/9 14:26:35 阅读：14

EV1298是Everspin Technologies生产的一款非易失性MRAM（磁阻式随机存取存储器）芯片。该器件利用磁性隧道结（MTJ）技术实现高速、非易失性的数据存储。EV1298具有类似SRAM的访问速度，同时具备非易失性，即在断电情况下数据仍能保留。该芯片特别适用于需要高速存储、高可靠性和低功耗的应用场景，如工业控制、网络设备、航空航天和数据采集系统。

参数

容量：4Mbit
　　接口类型：异步SRAM兼容接口
　　读取/写入时间：55ns（最大）
　　电源电压：2.3V至3.6V
　　工作温度范围：-40°C至+85°C（工业级）
　　封装形式：TSOP和BGA
　　数据保持时间：无限次读/写周期，10年数据保留（无电源）

特性

EV1298 MRAM芯片具有许多显著优势。首先，它的读写速度非常快，接近传统SRAM的性能，但无需刷新操作，因此可以简化系统设计并提高效率。其次，EV1298是非易失性的，意味着它在断电时不会丢失数据，这使其成为替代电池供电SRAM和NOR闪存的理想选择。
　　该芯片的耐久性也非常出色，支持无限次读写操作，避免了闪存的擦写寿命限制。此外，EV1298具备出色的抗辐射能力，适合在高可靠性环境下使用，例如航空航天和军事应用。它的工作温度范围广泛，支持从-40°C至+85°C的工业级温度范围，确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
　　在功耗方面，EV1298在待机模式下功耗极低，非常适合低功耗应用场景。此外，由于其非易失性，系统可以随时关闭电源而无需担心数据丢失，从而进一步降低整体功耗。

应用

EV1298广泛应用于需要高速、非易失性存储的系统中。典型应用包括工业控制器、网络路由器和交换机中的配置存储、实时数据记录、固件存储、备份存储器替代方案等。此外，它在航空航天和国防领域也具有重要地位，例如用于飞行控制系统的数据缓存和任务关键型数据的存储。
　　由于其高速和非易失性，EV1298还常用于需要频繁写入的场景，例如日志记录、状态保存和高速缓存应用。它也可作为低功耗嵌入式系统的主存储器使用，尤其适合需要持久化数据存储而无需复杂存储管理的场合。