时间：2025/9/6 22:15:01
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EUMFD60V28A是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，专为高效能功率转换应用设计。该器件具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力，适用于各种高功率开关应用，例如电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和工业自动化设备。EUMFD60V28A采用先进的沟槽式MOSFET技术，优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，使其在高频开关应用中表现出色。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：60V
最大连续漏极电流(ID)：28A
导通电阻(RDS(on))：约3.5mΩ（典型值）
栅极阈值电压(VGS(th))：1.5V至2.5V
最大耗散功率(PD)：100W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerPAK SO-8双封装
EUMFD60V28A MOSFET具有多项优异的电气和机械特性，使其在各种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下的低功率损耗，提高了系统的整体效率。其次，该器件支持高达60V的漏源电压，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率的电源转换系统。此外，EUMFD60V28A的高电流承载能力（28A）使其适用于需要大电流输出的应用，例如电动工具、电机驱动器和电源适配器。
EUMFD60V28A采用了PowerPAK SO-8双封装技术，这种封装不仅提供了优异的热管理性能，还具有较小的封装尺寸，适合在高密度PCB设计中使用。此外，该器件的工作温度范围宽广，可在-55°C至175°C之间稳定运行，适应了各种严苛的工作环境，如工业控制系统和汽车电子设备。
该MOSFET的栅极阈值电压范围为1.5V至2.5V，确保了良好的栅极驱动兼容性，可以与多种标准逻辑电平驱动器配合使用。此外，EUMFD60V28A在高频开关条件下表现出较低的开关损耗，适用于高频率开关电源和同步整流电路。其优异的耐用性和可靠性也使其成为工业和汽车应用中的首选功率器件。
EUMFD60V28A广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：电源管理系统、同步降压和升压转换器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、电动工具和汽车电子系统。该器件的高效率和高可靠性使其成为现代电子系统中不可或缺的功率元件。
SiR142DP-T1-GE3, FDS6680, IPB036N06N3 G
