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EUA4890MIRE 发布时间 时间:2025/7/1 2:04:47 查看 阅读:11

EUA4890MIRE是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  此型号特别适合需要高效能和高可靠性的工业及消费类电子设备,其封装形式通常为TO-220,便于散热和安装。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):48A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
  总功耗(Ptot):175W
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

EUA4890MIRE具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可显著减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 高速开关性能,支持高频应用场合,有助于缩小磁性元件体积。
  3. 强大的电流承载能力,适用于大功率负载。
  4. 内置静电保护功能,增强器件的抗干扰能力。
  5. 优异的热稳定性,在极端温度条件下仍能保持稳定的电气性能。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保,满足国际环保法规要求。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器的同步整流管或高端开关。
  3. 各类电机驱动电路中的功率开关。
  4. 汽车电子中的负载切换控制。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品中的功率调节单元。

替代型号

EUA4890MIRE, IRFZ44N, FDP5500