ETQP5M2R5YFC 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高性能功率晶体管,专为高频、高效率的应用场景设计。该器件采用了先进的封装技术,能够提供卓越的热性能和电气性能。其主要用途包括开关电源、DC-DC转换器、无线充电设备以及其他需要高效功率转换的电子系统。
由于其材料特性和结构设计,ETQP5M2R5YFC 能够在高频条件下保持较低的导通电阻和开关损耗,从而显著提高系统的整体效率。
类型:功率晶体管
材料:氮化镓 (GaN)
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:12A
导通电阻:30mΩ
栅极电荷:40nC
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
ETQP5M2R5YFC 的核心优势在于其使用了氮化镓材料,这种材料具有更高的禁带宽度,使得器件能够在更高的电压下运行,并且具备更低的导通电阻和更小的寄生电容。这不仅提升了效率,还允许更高的开关频率,减少了无源元件的尺寸和重量。
此外,该器件采用 TO-247 封装,具有出色的散热性能,适合大功率应用。其低栅极电荷特性降低了驱动功耗,进一步优化了系统的整体能效。同时,它的宽温度范围支持使其能够在极端环境下稳定工作。
ETQP5M2R5YFC 广泛应用于对效率和体积要求较高的功率转换领域,例如:
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电动汽车充电桩
4. 太阳能逆变器
5. 工业电机驱动
6. 高频谐振电路
7. 无线充电发射端
这些应用场景都依赖于其高频性能和高效率特点,以实现紧凑型设计和更长的续航时间或运行周期。
ETQP5M2R6XFC, ETQP5M2R7YFC